【課題】ＤＣ／ＤＣ変換器セル、それから形成されるフィードバック能力を備えたＤＣ／ＤＣ変換器回路、およびその操作方法を提供する。
【解決手段】第１変換器デバイスと、ＤＣ電圧連結された第２変換器デバイスとを有するフィードバック能力を備えたＤＣ／ＤＣ変換器回路に関する。第１変換器デバイスの２つの入力端は、ＤＣ／ＤＣ変換器回路の入力端を形成すると共にＤＣ電源に接続することが可能であり、第２変換器デバイスの出力端は、ＤＣ／ＤＣ変換器回路の出力端を形成すると共にＤＣ受電端に接続することが可能であり、第２変換器デバイスは、ＤＣ／ＤＣ変換器セルの形態、あるいは、２つのＤＣ／ＤＣ変換器セルを有するＤＣ／ＤＣ変換器セル装置の形態である。 （もっと読む）

【課題】ソーラセルに関するパワー半導体素子の配置構造を提供する。
【解決手段】ソーラセル１０の接触エリアへの直接接続のためのパワー半導体素子２０であって、少なくとも１つの割り当てられた第１の接触エリア２２０を有する接触要素２２と、少なくとも１つの割り当てられた第２の接触エリア２８０を有する接触ラグ２８と、少なくとも１つのパワー半導体コンポーネント２４とを備えて構成されるパワー半導体素子２０にして、パワー半導体コンポーネント２４の第１のチップ接触エリアは、接触要素に接続され、パワー半導体コンポーネント２４の第２のチップ接触エリアは、接触ラグ２８に接続されるとともに、パワー半導体コンポーネント２４は、周囲の影響に対して、少なくとも１つのパワー半導体コンポーネント２４のケーシング内に閉じ込められる。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体システムを提供する。
【解決手段】パワー半導体システム１００、およびまたパワー半導体システムを作製するための方法。一実施形態において、流動性作動媒体用のラインシステム１０と、外側および内側を有する壁要素２０と、壁要素の外側に配置されたパワー半導体回路３０と、を含むパワー半導体システムであって、壁要素の内側が、ラインシステムの液密および／または気密壁を形成するパワー半導体システム。 （もっと読む）

【課題】可撓な接続デバイスを備えたパワーアセンブリを提供する。
【解決手段】基板２は、第１パワー半導体素子３ａを配置するための導体トラック２２を有し、第１パワー半導体素子３ａの第１コンタクト面３１０ａは、接続デバイス４の第１導電膜４０の第１部分膜４００ａの第１コンタクト面４１０ａに直接機械的に接続される。第１導電膜４０と第２導電膜４４はメッキ貫通孔４８によって、導電接続され、第２パワー半導体素子の第１コンタクト面も同様に接続される。また、基板２の第２導体トラック２４の第２コンタクト面２４４は、第２導電膜４４の第２部分膜４４０の第２コンタクト面４４４に機械的に間接的にまたは直接的に導電接続され、かつ、この第２部分膜４４０を介して、第１パワー半導体素子３ａの第１コンタクト面３１０ａに導電接続される。 （もっと読む）

【課題】改善されたサブモジュールおよびパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール用サブモジュール２２ｂが、キャリア６の少なくとも一部と、キャリア６の一部に配置された導体トラック２４と、導体トラック２４上に施与され、モノリシックに一体化された半導体構造２６と、を含み、前記半導体構造が、半導体構造２６を導体トラック２４に接続する接触実現エリアと、第１接続部２８ａ、第２接続部２８ｂ、ならびにこれら接続部２８ａ、ｂ間に接続された一体化の非反応性抵抗器と、第３接続部２８ｃ、ならびに第３接続部２８ｃと第２接続部２８ｂとの間に接続された一体化のダブルダイオード構造と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の光起電力モジュールを互いに、および／またはインバータ装置に電気的に接続する目的で、光起電力モジュールに関連して配置できる接続装置を提供する。
【解決手段】光起電力モジュールに関連して配置できる、少なくとも１つの第１のハウジング要素および第２のハウジング要素を有するハウジングを少なくとも有する接続装置であって、光起電力モジュールへの電気接続用の第１の結合装置が、第１のハウジング要素に配置され、さらなる接続装置への、または少なくとも１つの半導体構成要素を有する半導体回路装置のインバータ装置への電気接続用の第２の結合装置が、第２のハウジング要素に配置され、第１のハウジング要素に関連する第１の接触装置、および第２のハウジング要素に関連する第２の接触装置が設けられ、したがって、半導体回路装置が、第１の結合装置に電気的に接続され得る。 （もっと読む）

【課題】二段階ドーピングプロファイルを備えたパワー半導体構成要素を提供する。
【解決手段】第１の基本導電率を備えたベース本体および第２の導電率を備えた井戸状領域を有するｐｎ接合を有するパワー半導体構成要素におけるｐｎ接合は、ベース本体の中央に水平に配置され、第１の二段階ドーピングプロファイルを有し、かつ第１の主面からベース本体の中へと第１の浸透深さを有する。さらに、このパワー半導体構成要素は、パワー半導体構成要素の井戸状領域とエッジとの間に配置されたエッジ構造であって、単一段階ドーピングプロファイル、第２の導電率、および第２の浸透深さを備えた複数のフィールドリングを含むエッジ構造を有し、第１の浸透深さは、第２の浸透深さの５０％以下である。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合時に空洞の形成あるいはそのサイズを低減した２個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体を提供する。
【解決手段】構成体製造方法は、第１接触面１６を有する第１接合素子１０を用意するステップ、焼結金属の粒子および溶剤から構成される焼結ペーストからなる層を第１接触面１６に施与するステップ、焼結ペーストに温度を加えて、焼結層を形成するように溶剤を追い出すステップ、その焼結層に液体を施与するステップ、第２接合素子５０を配置するステップ、接着剤６２を、焼結層と第２接合素子５０との縁部領域に、第１接合素子１０にも接触する状態で塗着するステップ、接合素子１０、５０間の材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体にさらに温度および圧力を加えるステップであって、焼結層が均質な焼結金属層３４に転化されるステップ、を有する。 （もっと読む）

【課題】低温加圧焼結接合を含む２個の接合素子の構成体およびその製造方法の提供。
【解決手段】低温加圧焼結接合によって相互に材料密着結合で接合される第１および第２の接合素子を含む構成体に関する。関連する製造方法は次のステップを含む。すなわち、その上に平面状の金属酸化物の層２４０を含む卑金属からなる表面部分１８を有する第１接合素子１０を用意するステップと、その第１接合素子の第１接触面として設けられる表面部分の領域に還元剤を施与するステップと、その還元剤に焼結ペーストからなる層を施与するステップと、その焼結ペーストからなる層の上に第２接合素子５０の第２接触面５６を配置するステップと、材料密着結合の低温加圧焼結接合を形成するために、構成体に温度および圧力を加えるステップと、である。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体基板を作製するための方法を提供する。
【解決手段】焼結金属層１８および導電層２０で構成された層シーケンスを少なくとも１つの主面１６に有する絶縁平坦ベース本体１４を含むパワー半導体基板１２を、圧力および温度をかけることで作製するための方法であって、少なくとも１つのパワー半導体基板１２が、ポッティング材２８で囲まれ、ポッティング材２８で囲まれた少なくとも１つのパワー半導体基板１２が、続いて、液体３０で満たされた圧力チャンバ１０に導入されて圧力および温度にさらされ、圧力が、少なくとも１つのパワー半導体基板１２に直ちに等方的に効果があり、温度が、画定された壁厚を有するポッティング材２８によって時間的に遅延されたやり方で、焼結金属層１８によってベース本体１４を関連する導電層２０に密着接続するために少なくとも１つのパワー半導体基板１２に効果がある方法。 （もっと読む）