本発明の特定の実施形態例は、透明な導電性コーティング（ＴＣＣ）としてグラフェンを使用することに関する。被覆しようとする表面を有する基材を供給する。自己組織化単分子膜（ＳＡＭ）テンプレートを、被覆しようとする表面に配置する。前駆体分子を含む前駆体を供給する。ここで、前駆体分子は、多環式芳香族炭化水素（ＰＡＨ）及びディスコチック分子である。前駆体を溶解して溶液とする。この溶液を、上にＳＡＭテンプレートを配置した基材に適用する。前駆体分子をＳＡＭテンプレートに光化学的に付着させる。基材を少なくとも４５０℃まで加熱すると、グラフェン含有膜が形成される。有利なことに、グラフェン含有膜は基材に直接、例えばリフトオフ法を必要とせずに、形成することができる。 （もっと読む）

【解決手段】
本発明の特定の実施例では、乗り物の他の要素と一体に形成される（たとえば、共押出し）フレキシブルシールを有する改良されたシールシステム、および／または、その製造方法が提供される。特定の実施例では、たとえば、一般的に必要とされる乗り物のより構造的な要素であるトリムおよび／または乗り物の他の構成要素に、いくつかのまたは全てのシーリングシステム要素が組み込まれても良い。たとえば、特定の実施例では、典型的にはウィンドウのガラスを受けるために用いられる従来技術のＵ字形のシールが、乗り物の構造の全体の要素に取り付けられるシール要素に置き換えられても良い。特定の実施例では、たとえば、ロールフォーミングおよび／または押し出し加工の一部としてトリム要素とともにシール要素を形成することにより、この一体化を達成する。 （もっと読む）

この発明のある種の実施具体例は、エレクトロクロミック（ＥＣ）デバイス、エレクトロクロミックデバイスを組み込んだアセンブリ、および／またはそれらの製造方法に関する。より具体的には、この発明のある種の実施具体例は、プロセス統合スキーム、および／または高生産性、低価格の蒸着源、装置、および工場に適合した改良されたＥＣ材料、ＥＣ積層デバイス、大量生産（ＨＶＭ）に関する。
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この発明のある種の実施具体例は、エレクトロクロミック（ＥＣ）デバイス、エレクトロクロミックデバイスを組み込んだアセンブリ、および／またはそれらの製造方法に関する。より具体的には、この発明のある種の実施具体例は、プロセス統合スキーム、および／または高生産性、低価格の蒸着源、装置、および工場に適合した改良されたＥＣ材料、ＥＣ積層デバイス、大量生産（ＨＶＭ）に関する。
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本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。 （もっと読む）

本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層（ＴＣＣ）としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス（例えば、Ｃ₂Ｈ₂、ＣＨ₄などといった）からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗（例えば、１５０オーム／スクウェア未満でかつドープされているときより低い）および高い透過係数（transmission value）（例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて）を示してもよい。
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この発明のある種の実施具体例は、熱処理されたガラス基板によって支持される透明導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）膜を有する被覆品の製造技術に関する。実質的に亜酸化のＩＴＯまたは金属インジウムスズ（ＩｎＳｎ）膜をガラス基板上に室温でスパッタリング蒸着する。上に蒸着された状態の膜を有するガラス基板を昇温する。熱による焼き戻し、または熱強化は、蒸着された状態の膜を結晶透明導電性ＩＴＯ膜に変換する。有利なことに、このことは、例えば、金属モードにおけるＩＴＯ蒸着の一層高い速度のため、タッチパネル組立品のコストが減少する可能性がある。フロートガラスの使用によってタッチパネル組立品のコストが一層減少する可能性がある。
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或る実施態様は、ＡＲ被膜付きの表面模様つきガラスを備える照明システム用カバー、および／又はその製造方法に関する。或る実施態様では、少なくとも１つの光源がガラス基板からなるカバーの近傍に設けられる。そのガラス基板は、少なくとも１つの光源により接近した表面に非反射（ＡＲ）被膜を備え、ＡＲ被膜表面と反対の表面に模様（例えば、実質的にプリズム状の表面模様）が形成される。ＡＲ被膜が形成されたガラス基板表面は、平坦面、又は非平坦面又は模様付きのつや消し面であってもよい。任意のＡＲ被膜がガラス基板の模様付き面に形成されてもよい。
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