【課題】ＡＬＤプロセスは、次世代半導体デバイスの作製において重要な技法であると考えられるが、ウェハスループットが低い。この点を改良する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆し、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量で被覆され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに充分に至らない量の、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに充分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の被覆と被覆の間で、または、被覆の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】異なる気体を同時に放射するときそれらが混合されないようにする。
【解決手段】少なくとも気体源オリフィス列の下側のオリフィスが、気体源オリフィス列の上側のオリフィスとワークの蒸着面の間に配置されるように、ワークの蒸着面に向かって気体源オリフィス列から気体流方向によって決まる軸に沿って互いに変位された少なくとも２つの別個の気体源オリフィス列を有する反応炉用の気体分配システム。気体源オリフィス列の上側のオリフィスは、気体源オリフィス列の上側のオリフィスとワークの蒸着面の間の距離の平均０．２〜０．８倍だけ間隔を置いて配置することができ、気体源オリフィス列の下側のオリフィスは気体源オリフィス列の上側のオリフィスとワークの蒸着面の間の距離の平均０．１〜０．４倍だけ間隔を置いて配置することができる。 （もっと読む）

ＡＬＤ反応室には、その外周に環状付属フローリング導管を備える垂直可動ヒータサセプタが含まれているが、その導管は、ヒータサセプタがそのプロセス位置につくと、フローリングの底面に対するウェハの上方及びウェハの下方における反応器の外部空間を分離する外部表面をそのエッジに備えている。サセプタがプロセス位置につくと、フローリングの外側エッジが反応室のＨｄに取り付けられた環状リングに近接した位置につき、リングと導管が共にタングイングルーブ（ＴＩＧ）構造を形成する。場合によっては、ＴＩＧ設計は階段形状（ＳＣ）を備えることによって、下流ガスの拡散逆流を反応器の外部空間に限定することも可能である。
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ＡＬＤシステムは、ＡＬＤ反応炉と、バルブ・アセンブリを介してＡＬＤ反応炉の下流側に結合された前駆体トラップとを備える。前駆体トラップは、ＡＬＤ反応炉内での反応後に未使用の化学前駆体を収集するように構成されている。
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ウェハは、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分である、第１の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、次に、第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量に露光され、前駆体は、ほぼ均一な膜堆積を実現するように分散されるプロセス。第２の化学的に反応する前駆体ドーズ量は、同様に、ウェハ上で最大飽和ＡＬＤ堆積レートをもたらすのに不十分であるか、または、別法として、ウェハ上で不足状態の飽和堆積をもたらすのに十分であってもよい。プロセスは、前駆体ドーズ量の露光と露光の間で、または、露光の１つのセットと別のセットの間でパージを含んでも含まなくてもよい。
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反応器チャンバを名目上一定圧力に維持しながら、異なるパージ流と、場合によっては異なるポンピング能力を用いて、ＡＬＤサイクルの異なる段階を実行する。パージ流は、場合によっては、異なるガスを利用することができ、かつ／または異なる流路を通じて供給することができる。これらの動作は、ＡＬＤサイクル時間の改善、および消耗品の使用に関する経済的な動作をもたらす。いくつかの実施形態において、環状絞り弁の使用は、反応器チャンバからのガス流路における下流の流量制限コンダクタンスを制御する手段を提供する。
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気相成長法反応炉及び原子層堆積反応炉のような反応炉のための加熱装置を提供する。ＡＬＤ又はＣＶＤ反応炉のための加熱アセンブリは、反応炉チャンバの腐蝕性環境から導体を隔離するためのパージガスを使用することにより、加熱要素に付随する導電体に対する保護を提供する。パージガスは、導体を取り囲むスリーブの中に導入され、そこから、処理ガスと共にポンピングして出される反応炉チャンバの中へ漏れることが可能である。この装置は、スリーブと加熱要素の接合部での気密シールに対する必要性を回避し、製造の要件を緩和し、構成要素の費用を削減する可能性を有する。
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各々内部における半独立ＡＬＤと／またはＣＶＤ被膜形成（成膜）用に構成された複数の別個のシングルウェハ処理リアクタを有する１以上のウェハ処理モジュー^*1ルと；該各ウェハ処理モジュールにウェハを供給すると共に該各ウェハ処理モジュールからウェハを受け取るよう構成されたロボット式中央ウェハハンドラと；ローディング／アンローディング・ポートと該ローディング／アンローディング・ポートを該ロボット式中央ウェハハンドラに結合するミニ環境を備えるシングルウェハ・ローディング／アンローディング機構と；を備えたウェハ処理装置。該ウェハ処理リアクタは、（Ｉ）１座標軸が、該シングルウェハ処理リアクタがそれぞれ属する該ウェハ処理モジュールの中の少なくとも１つのモジュールのウェハ装入面と平行なデカルト座標系の座標軸に沿って配置する、あるいは（ＩＩ）該座標軸により定まる象限内に配置することが可能である。各処理モジュールは、最大４つのシングルウェハ処理リアクタを各々独立のガス分配モジュールと共に備えることができる。
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