説明

ニシハラ理工株式会社により出願された特許

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【課題】端子の基材と該基材上に形成された錫(すず)ビスマスから成る表面層との間に、ビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層を形成することによって、ウィスカの発生及び成長を効果的に抑制することができ、短絡が発生することがなく、環境規制に適合することができ、地球環境に対する負荷が小さく、コストが低く、耐久性が高くなるようにする。
【解決手段】ケーブル又は基板と電気的に接続されるコネクタであって、ハウジングと、該ハウジングに装填(てん)された端子51とを有し、該端子51は、金属から成る基材52と、該基材52上に形成されたビスマスの偏析を抑制する偏析抑制層と、該偏析抑制層上に形成された錫ビスマス合金から成る表面層とを備える。 (もっと読む)


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