【課題】ガラス基板上の非晶質シリコン層のレーザアニール時に基板面に生じる脹れ発生を防止する。
【解決手段】ガラス基板５０を予熱し、その基板上に非結晶シリコン先駆層を一次温度で堆積させ、熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８内において基板を一次温度よりも十分に高い二次温度でアニーリングして先駆層内における水素濃度を実質的に減少させることによってガラス基板５０上に薄膜層を形成できる。予熱するステップと、アニーリングするステップは同じ熱処理チャンバ５２，５４，５６，５８の内部で実施することができる。次いで、先駆層はレーザアニーリングによって多結晶シリコン層に変換する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する自動システムの基板ミスアライメントを改善する。
【解決手段】自動処理システムは、基板を処理するようにされた真空チャンバ１８と、チャンバ内に置かれ、基板が処理されている間にチャンバ内で移動するようにされ、基板を支持するようにされた基板支持部と、基板支持部に隣接するピンと、基板が処理されている間にチャンバの中での物理的状態の変化を検出するようにされた検出器であって、ピンに結合されると共に前記支持体が移動するときに前記ピンの振動を検出するようにされた振動検出器と、前記ピンの検出された前記振動から背景振動を表すノイズ信号をフィルタするようにされたノイズフィルタとを有する検出器とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバ内で使用される被加熱型の基板支持プレートを改良すること、特に熱特性を向上させることにある。
【解決手段】 本発明の基板支持プレート１３６は、加熱要素５４，５６を受け入れるための溝９０，１００を有している。加熱要素５４，５６は、外被２００と、ヒータコイル２０２と、熱伝導充填材料２０４とから構成されている。この加熱要素５４，５６は溝９０，１００内に配置された後、圧縮されて熱伝導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板全体均一な温度分布を実現する加熱並びに冷却が可能なロード・ロック・チャンバを提供する。
【解決手段】ロード・ロック・チャンバに、チャンバ内への基板の移送又はチャンバからの基板の移送を可能にする開口３６，４４を有するチャンバ本体３０を備える。このロード・ロック・チャンバは、いくつかの構成において構成可能であり、それには、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための基本構成；基板を加熱し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための加熱構成；及び、基板を冷却し、２つの異なる圧力の間の遷移を提供するための冷却構成が含まれる。チャンバ構成が有する各種の特徴は、基板の迅速な加熱並びに冷却及び、同時的なチャンバの排気並びに通気を可能にすることによってシステムのスループットの向上に寄与し、更に基板のエッジ近傍における熱源量の補償を補助することによって基板全体にわたってより均一な温度が提供される。 （もっと読む）

【課題】 シールドの温度を、略スパッター堆積材料の温度まで加熱して非処理面に堆積するスパッター堆積材料中の不利な引張応力をなくすこと。
【解決手段】 シールド４６からおよび、バイアスのかかったターゲットと周囲の接地部材との間のアークからの剥離による粒子の発生を低減または防止する構成を有する、ＰＶＤ真空プロセスチャンバ３０内のシールド４６を開示する。シールド４６は「ｈ」形断面を有し、「ｈ」形断面の下部アーチは、シールド４６をスパッター堆積材料の温度にほぼ等しい温度にまで加熱するヒーター組立体に面する。シールド４６の表面には、真空の初期吸引時にＨ₂ Ｏの放散を促進するため、研磨を施す。シールド４６の内面（ヒーター組立体に面する）には、より多くのエネルギを保持して加熱効率を高めるため、表面放射率係数が外面より大きくなるように処理を施す。 （もっと読む）