本発明による超臨界ＣＯ₂洗浄システムには、超臨界ＣＯ₂でワークピースを洗浄するように構成された圧力チャンバと、圧力チャンバの出力を受け取るように構成された膨張チャンバと、膨張チャンバから膨張ＣＯ₂流を受け取るように構成され、かつリサイクルＣＯ₂流を出力するように構成されたＣＯ₂リサイクルシステムと、新鮮なＣＯ₂流およびリサイクルＣＯ₂流を出力するように構成された新鮮なＣＯ₂の供給部と、新鮮なＣＯ₂流およびリサイクルＣＯ₂流の少なくとも１つを受け取るように構成された浄化システムであって、浄化ＣＯ₂流を出力するように構成された浄化システムと、第１の共溶媒流を出力するように構成された第１の共溶媒供給部と、を含むことができ、圧力チャンバは、浄化ＣＯ₂流および第１の共溶媒流を受け取るように構成されている。

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【解決手段】基板をH₂SiF₆またはHBF₄；有機溶媒；アミン；腐食防止剤；および水を含有する組成物と接触させる工程を含む低誘電率（Low-k）の誘電体を含有する基板からエッチング残留物をクリーニングする方法であって、ここで前記組成物はエッチング後の残留物を剥離し、酸化物の損失を最小にでき、該組成物のpHが7未満である方法。 （もっと読む）

本発明は、リン酸を含有する希釈水溶液及びそのような希釈水溶液を含む、半導体基板からプラズマエッチ残留物を除去する方法に関する。本発明による溶液は、アルカリ化合物、１又はそれ以上の他の酸化合物、及び／又はフルオリド含有化合物を好ましくは含有し、場合により追加の成分、たとえば有機溶媒、キレート剤、アミン、及び／又は界面活性剤を含有する。 （もっと読む）

ビスコリンおよびトリスコリン化合物に基づいた新規洗浄化学が、基板のエッチングを最小限に抑えながらフォトレジストおよびフラックスを除去することを目的として提供される。 （もっと読む）

初めに、高密度相流体洗浄に関するプロセスパラメータが決定される。その後、基板を入れた洗浄チャンバがこれらのプロセスパラメータに基づいて高密度相流体で加圧される。それから基板は、再びこれらのプロセスパラメータに基づいて高密度相流体で洗浄される。次いで洗浄チャンバから排出流体が排出され、その後に分析される。それからこれらのプロセスパラメータは、排出流体の分析に基づいて調整されたプロセスパラメータに調整される。その後再び、洗浄チャンバは加圧され、洗浄が繰り返される。この加圧と洗浄は、調整されたプロセスパラメータに基づいている。またこの加圧と洗浄は、基板が十分に清浄になるまで繰り返される。
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基板は、ほぼ真空の環境から第１のドアを介してロードロック内に転送される。それからこの基板は、このロードロック内にシール（密封）される。ロードロック内の圧力は、真空より高い高圧に上げられる。それからこのロードロックを高圧処理チャンバに連結する第２のドアが開かれ、基板はロードロックから高圧チャンバ内に移される。それから基板は、高圧チャンバ内にシールされる。それからこの高圧チャンバ内で基板に高圧処理、例えば高圧洗浄または高圧蒸着が実行される。その後、第２のドアが開かれて基板はロードロックに転送される。それから基板は、ロードロック内にシールされる。ロードロック内の圧力はほぼ真空に下げられて、第１のドアが開けられる。それから基板は、ロードロックから環境内に取り出される。
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