【課題】ガスセンサ製造時の組み立てや測定精度に影響を及ぼすことが無く、かつ、大きな強度をもつセンサ素子、および、このようなセンサ素子を用いて製造するガスセンサを提供する。
【解決手段】長尺の板状体形状のセンサ素子１０１において、センサ素子１０１の長手方向について、一端部からセンサ素子の長さの２７分の８の位置から、他端部に至る区間である第1区間Ｉｎ１において、厚さ方向における曲がりの程度を表すパラメータである曲がり量が、センサ素子１０１の長手方向の長さに対して１３６０分の１以上６７０分の１以下であるようにする。上記の曲がり量は、センサ素子１０１の長手方向の位置をＸ、表面の厚み方向の変位をＹとして、ＸとＹとの関係を測定し、これらＸおよびＹを２変数としたＸ−Ｙ平面上での散布図から、最小二乗法により算出した回帰直線の上側および下側の領域における回帰直線から最大の距離となる点の距離の和で規定される。 （もっと読む）

【課題】良好な積層精度でグリーンシートを積層できる積層体の形成方法を提供する。
【解決手段】積層体の形成方法が、所定のパターンを印刷した複数のグリーンシートのうち少なくとも２枚を積層接着することによって実質的に一のグリーンシートとして取り扱える先行積層シートを形成する第１の積層工程と、先行積層シートと、先行積層シートの形成に用いなかった非先行積層シートとに対して所定のパターンを印刷する印刷工程と、印刷工程によってパターンが印刷された先行積層シートと非先行積層シートとを所定の順序で積層接着する第２の積層工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】複数の共振器を含む圧電薄膜デバイスにおいて、複数の共振器の干渉に起因する特性劣化を防ぐ。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１は、支持基板１１の上に、接着層１２、キャビティ形成膜１３、下面電極１５、圧電体薄膜１６及び上面電極１７をこの順序で積層した構造を有している。上面電極１７１は、対向領域Ｅ１１において、圧電体薄膜２６を挟んで下面電極１５１と対向し、上面電極１７１及び下面電極１５１を駆動電極とする共振器（直列共振器）Ｒ１１を構成している。上面電極１７２は、対向領域Ｅ１２において、圧電体薄膜２６を挟んで下面電極１５２と対向し、上面電極１７２及び下面電極１７２を駆動電極とする共振器（並列共振器）Ｒ１２を構成している。下面電極１５３は、下面電極１５１と下面電極１５２とを接続する配線電極であるとともに、下面電極１５１及び１５２と材質及び膜厚が異なっている。共振器Ｒ１１及びＲ１２を音響的に分離している。 （もっと読む）

【課題】周波数インピーダンス特性がスプリアスの影響を受けにくい圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１は、支持基板１１の上に、接着層１２、キャビティ形成膜１３、下面電極１４、圧電体薄膜１５及び上面電極１６をこの順序で積層した構造を有している。上面電極１６１及び１６２は、それぞれ、励振領域Ｅ１において圧電体薄膜１５を挟んで下面電極１４と対向して圧電薄膜共振子Ｒ１及びＲ２を形成する。上面電極１６３は、非励振領域Ｅ２において圧電体薄膜１５を挟んで下面電極１４と対向する。圧電体薄膜１５には、圧電体薄膜１５の上面と下面との間を貫通し、非励振領域Ｅ２において圧電体薄膜１５を挟んで対向する上面電極１６３と下面電極１４とを導通させる１０個の下面電極導通穴ＨＬが形成されている。 （もっと読む）

【課題】胴部と管状部とを嵌め合わせて焼成収縮を利用して接合する方法において、胴部と管状部とを強固に接合し、胴部の変形や反りを抑制できるようにする。
【解決手段】胴部用被焼成体１２と管状部用被焼成体１４とを固定する。胴部用被焼成体１２の回転対称軸Ａを含む断面において、胴部用被焼成体１２の外周面１２ｂの法線Ｄと内周面１２ｃの法線Ｅとによって形成される仮想中心Ｆの軌跡ＦＦの末端Ｐと胴部用被焼成体１２の管状部１４との接合面１２ａとが形成する交差角αが３０°以上となるようにする。これらを熱処理することによって、胴部用被焼成体１２および管状部用被焼成体１４を焼結させて胴部および管状部を生成させると共に胴部と管状部とを接合する。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスの特性を向上する。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜フィルタ１のフィルタ機能を提供するフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電薄膜フィルタ１では、圧電体薄膜１１１の非励振領域Ｅ１Ｘに形成されたキャビティ形成膜１１４を介して圧電体薄膜１１９をベース基板１３に接着することにより、圧電体薄膜１１１の励振領域Ｅ１１〜Ｅ１４を無規制の状態で空中に保持し、励振領域Ｅ１１〜Ｅ１４の上面及び下面が他の部分と接することがないようにしている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張率の差に起因する特性変動や破損を防止する。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜フィルタ１のフィルタ機能を提供するフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電薄膜フィルタ１の製造にあたっては、単独で自重に耐え得る圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１１１を得ているが、ベース基板１３及び圧電体基板として同種の単結晶材料の基板を採用し、圧電体薄膜１１１及びベース基板１３で熱膨張率を一致させている。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスにおいて、圧電体薄膜の見かけ上の電気機械結合係数の低下を防止する。
【解決手段】圧電薄膜フィルタ１の圧電薄膜共振子Ｒ１１においては、全面が均一に配向した圧電体薄膜１１１の上面及び下面に、励振領域Ｅ１１において対向する上部電極１１２１及び下部電極１１３１が形成されている。上部電極１１２１は、励振領域Ｅ１１から＋Ｘ方向へ向かって非励振領域Ｅ１Ｘに引き出され、下部電極１１３１は、圧電体薄膜１１１の下面において、励振領域Ｅ１１から−Ｘ方向へ向かって非励振領域Ｅ１Ｘに引き出されている。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスにおいて、圧電体薄膜を構成する圧電材料や圧電体薄膜における結晶方位の選択の自由度を高める。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、圧電薄膜フィルタ１のフィルタ機能を提供するフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電薄膜フィルタ１の製造にあたっては、圧電体基板を除去加工することにより圧電体薄膜１１１を得ているが、除去加工によって得られる圧電体薄膜１１１は単独で自重に耐え得ないので、除去加工に先立って、圧電体基板を含む所定の部材を、支持体となるベース基板１３にあらかじめ接着しておく。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜デバイスの特性を向上する。
【解決手段】４個の圧電薄膜共振子Ｒ１１〜Ｒ１４を含む圧電薄膜フィルタ１は、単独で自重に耐え得ない圧電体薄膜１１１を含むフィルタ部１１と、フィルタ部１１を機械的に支持する平坦なベース基板１３とを接着層１２を介して接着した構造を有している。圧電体薄膜１１１を構成する圧電材料としては、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム、四ホウ酸リチウム、酸化亜鉛、ニオブ酸カリウム及びランガサイトから選択された、粒界を含まない単結晶材料が望ましい。 （もっと読む）