【課題】半導体層の被転写層への注入による欠陥を修復する方法であって、レシーバ基板にどんなデバイス又は機能が存在するかにかかわらずレシーバ基板を損傷する恐れのない方法を提供する。
【解決手段】半導体層１０が、被転写半導体層１０よりも熱伝導率が低い層３によってレシーバ基板２から熱的に絶縁される方法において、レシーバ基板２の温度が５００℃を超えて上昇しないように半導体層１０を前記層１０の溶融温度よりも低い温度まで加熱するように実施される選択的な電磁照射を半導体層１０に施す。 （もっと読む）

【課題】２つの基板を互いに分子接合により結合するためのプロセスを提供する。
【解決手段】プロセス中に基板の表面が密着した状態に置かれ、基板間で結合面の伝播によって結合が起こるプロセスにおいて、結合前に、基板の一方および／または他方の表面状態を改質して結合面の伝播速度を調整することから構成されるステップを備える。表面状態は、結合されるべき基板の一方および／または他方の表面を局所的に或いは均一に加熱することによって或いはまた基板の一方および／または他方の表面を粗面化することによって改質される。 （もっと読む）

【課題】ＳｅＯＩ（絶縁体上半導体）構造薄層内のホールの密度、および特に致命的欠陥であるホールすなわち致命ホールの密度を最小化することを可能にする方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に移転すべきドナー基板の部分の厚さを決定する方法において、移転されるべき厚さを選択するステップ２０と、仕上げシーケンス５０，６０，９０，１００のために、前記移転された一部内の致命ホールの密度を確認するステップ３０，７０，１１０と、確認された密度が最大密度ＤＭよりも大きい場合に、移転されるべき厚さを増加させ、ステップ２０を繰りかえし、密度が最大密度ＤＭよりも小さい場合に、仕上げシーケンス５０，６０，９０，１００が達成されて移転された一部が前記最終厚さＴｆに到達するまで、仕上げシーケンスにおける次の操作のためにステップ３０，７０，１１０を繰り返すステップと、を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェーハを製造するための新規な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ウェーハを製造するための方法に関し、この方法は、半導体基板上にドープト層を設けるステップと、ドープト層上に第１の半導体層を設けるステップと、第１の半導体層上に埋込み酸化物層を設けるステップと、埋込み酸化物層上に第２の半導体層を設けるステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体・オン・インシュレータ構造（１０）を形成するための新規な方法を提供する。
【解決手段】本発明は、III／V族材料から作られる半導体層（３）を含む半導体・オン・インシュレータ構造（１０）を形成するための方法に関し、（ａ）緩和ゲルマニウム層（２）をドナー基板（１）上に成長させるステップと、（ｂ）III／V族材料から作られる少なくとも１つの層（３）をゲルマニウム層（２）上に成長させるステップと、（ｃ）劈開面（６）を緩和ゲルマニウム層（２）内に形成するステップと、（ｄ）ドナー基板（１）の劈開された部分を支持基板（４）に転写するステップであって、その劈開された部分が、劈開面（６）において劈開されたドナー基板（１）の一部分でありかつIII／V族材料から作られる少なくとも１つの層（３）を備える、ステップと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体基板及び半導体基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】諸実施形態は、半導体構造体、及び半導体構造体を形成する方法に関する。いくつかの実施形態では、本方法を用いて半導体基板を製造することが、脆弱化区域をドナー構造体中の既定の深さに形成して付着面と脆弱化区域の間に移転層を画定し、且つ脆弱化区域と付着面の反対側の面との間に残留ドナー構造体を画定することによって可能である。金属層が付着層上に形成され、金属層と移転層の間にオーミックコンタクトが形成され、金属層により、移転層の熱膨張係数（ＣＴＥ）とよく一致する金属層の適合ＣＴＥと、移転層を構造的に支持するのに十分な剛性とが得られる。移転層は、脆弱化区域のところでドナー構造体から分離されて、移転層及び金属層を備える複合基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板をへき開する新規な方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板（１）からフィルム（１’）を引き離すために前記基板をへき開する方法であって、（ｉ）局部的に基板（１）の面に結合され、熱処理の作用下で基板（１）の面と平行な平面内で膨脹又は収縮するように設計された応力発生構造体（２）と呼ばれるものを形成するステップと、（ｉｉ）膨張又は収縮を引き起こすように設計された前記構造体（２）に熱処理を適用し、基板（１）中に複数の局部応力を生じさせ、応力の組合せが引き離すフィルム（１’）を画定する基板の面と平行なへき開面（Ｃ）での基板の機械的強さより大きい応力を生じさせ、前記応力が前記平面（Ｃ）にわたって基板（１）のへき開をもたらすステップの逐次的ステップと、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの分子接着モジュールを備える製造装置でアライメント制度が十分で、層歪みが低減された製造装置を提供する。
【解決手段】この装置は、大気圧未満の圧力のもとでウェハの接着を行うための真空チャンバを備える接着モジュール１と、接着モジュール１に接続され、且つ接着モジュール１へのウェハ移送のために構成され、且つ第１の真空ポンプデバイス５に接続されている装填ロックモジュール２と、を具備し、第１の真空ポンプは、装填ロックモジュール２内の圧力を大気圧未満に低減するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とガラス基板との気泡のない高品質接合基板を提供する。
【解決手段】第１の表面２ａを有する第１の基板１ａを、第２の表面２ｂを有する第２の基板１ｂに接合する方法において、第１の基板１ａを少なくとも２つの支持点Ｓ１、Ｓ２によって保持するステップと、第１の表面２ａと第２の表面２ｂが互いに向き合うように、第１の基板１ａ及び第２の基板１ｂを位置決めするステップと、少なくとも１つの加圧点Ｐ１と、２つの支持点Ｓ１、Ｓ２との間で、第２の基板１ｂに向かって歪みＦを加えることによって、第１の基板１ａを変形させるステップと、変形させた第１の表面２ａと、第２の表面２ｂとを接触させるステップと、歪みＦを徐々に緩和するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）