【課題】低い制御電圧に対しても高い直線性を保って動作できるＲＦスイッチを提供する。
【解決手段】整流器入力と整流器出力とＤＣ制御電圧入力とを有する整流回路であって、前記整流器入力で実質的に高い入力インピーダンスを呈しながら前記整流出力すなわち前記整流器入力への交流入力信号からの整流電圧の整流出力を生ずるように構成された整流回路と、抽出器入力と制御電圧入力と抽出器出力とを有し前記整流回路に接続されたバイアス抽出回路であって、前記ＤＣ制御電圧入力よりも大きいＤＣ電圧を前記抽出器出力に生ずるように構成されたバイアス抽出回路とを備えるバイアス回路。
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【課題】負荷インピーダンスの最適化により、線形増幅を維持しながら増幅器電力効率を高めた無線周波数電力増幅器を提供する。
【解決手段】互いに並列に接続した第１および第２の増幅器サブセクションを電力増幅段に備える。第１の増幅器サブセクションは増幅すべき信号を受け、第２の増幅器サブセクションは増幅すべき信号を第１のインピーダンス反転回路経由で受ける。第１の増幅器サブセクションの増幅器出力信号を第２のインピーダンス反転回路に加え、その出力を第２の増幅器サブセクションからの増幅出力信号と合成する。低電力モードでは、第１の増幅器サブセクションが第１の線形増幅器として動作し、第２の増幅器サブセクションはオフ状態にバイアスされている。高電力モードでは、第１および第２の増幅器サブセクションが両方とも線形増幅器として動作する。第２の遅延素子のインピーダンスと第１の遅延素子のインピーダンスとを等しくすることによって、高電力モードおよび低電力モードの両方の期間中の増幅器効率を改善する。
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【課題】出力電力レベルを選択でき、所望の電力レベル範囲全体にわたって電力効率の高い無線周波数電力増幅用の飽和増幅回路を提供する。
【解決手段】互いに並列に接続した二つの増幅器を電力増幅器に備える。第２の増幅器の受ける入力は第１の増幅器の受ける入力の遅延バージョンとする。第１の増幅器の出力は、第２の増幅器の出力とほぼ同相になるように、遅延をかける。低出力電力動作の場合は第１の増幅器のみをイネーブルする。高出力電力動作の場合は第１の増幅器および第２の増幅器の両方をイネーブルする。これら第１および第２の増幅器を飽和増幅器として動作させる。第１の可変出力電力制御信号で第１の増幅器サブセクションの出力電力を制御し、第２の可変出力電力制御信号で第２の増幅器サブセクションの出力電力を制御する。
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【課題】低電力動作モードでも高い効率および高い直線性を維持できるＲＦ電力増幅器を提供する。
【解決手段】第１の増幅器出力段および並列接続の第２の増幅器出力段を有する電力増幅器を提供する。この第１の増幅器出力段は高電力動作モードおよび低電力動作モードの両方の期間中にイネーブルされる（すなわち、十分にバイアスされる）。第２の増幅器出力段は低電力動作モードの期間中にディスエーブルされ、高電力動作モードの期間中だけイネーブルされる。これら第１の増幅器出力段および第２の増幅器出力段はいずれもごく低レベルの休止電流状態で動作することはないので、この電力増幅器の直線性は高電力動作モードおよび低電力動作モードの両方について維持される。
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【課題】 製造コストを低減し品質の均一性および安定性を高めたモノリシック集積型エンハンスメントモード／デプリーションモードＦＥＴデバイスを提供する。
【解決手段】 単一の半導体多層構造でデプリーションモード（Ｄモード）ＦＥＴをエンハンスメントモード（Ｅモード）ＦＥＴとモノリシックに集積回路化する。上記多層構造にはチャネル層を設け、その上に障壁層をオーバーレイし、さらにその上にオームコンタクト層をオーバーレイする。これらＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのソースコンタクトおよびドレーンコンタクトをオームコンタクト層に接続する。またＤモードＦＥＴおよびＥモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層に接続する。障壁層の中のＥモードゲートコンタクトの下に非晶質化領域を設ける。この非晶質化領域が障壁層との間の埋込みＥモードSchottkyコンタクトを構成する。代わりに実施例ではＤモードＦＥＴのゲートコンタクトを障壁層にオーバーレイした第１の層に接続し、その第１の層の中にＤモード非晶質化領域を形成する。 （もっと読む）