【課題】ＣＭＰ工程での表面平坦性の向上とキャパシタの加工安定性を図る半導体装置およびマスクパターンを提供すること。
【解決手段】半導体基板と、この半導体基板の上方に設けられ、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタであり、前記誘電体膜は、Ａサイト元素としてＰｂ，Ｂａ，Ｓｒの少なくとも一つの元素を含み、Ｂサイト元素としてＺｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏの少なくとも一つの元素を含むＡＢＯ_３の形で構成されるぺロブスカイト型酸化物からなるキャパシタと、を備え、前記キャパシタの上方または膜厚方向から見た側壁部の曲率半径が２５０［ｎｍ］以下であって、その弧の長さが｛２５０［ｎｍ］×π／６［ｒａｄ］｝以上である。 （もっと読む）

【課題】電極構造下方のプラグの酸化を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板（Ｓ）と、この半導体基板に形成されたトランジスタの活性領域（１０７）に接続した導電性プラグ（１１８）と、この導電性プラグの底面部及び側面部に被覆する金属シリサイド膜（１１７）と、前記導電性プラグ上に形成された電極構造（２００）と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタの特性や信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１００と、半導体基板の上方に設けられ、下部電極１１６，１１７．１１８，１１９、１２０と、上部電極１２２，１２３と、下部電極と上部電極との間に設けられた誘電体膜１２１とを含むキャパシタと、を備えた半導体装置であって、下部電極は、イリジウムを含む第１の導電膜１１７と、誘電体膜と第１の導電膜との間に設けられ且つ貴金属膜で形成された第２の導電膜１１９と、誘電体膜と第２の導電膜との間に設けられ且つペロブスカイト構造を有する金属酸化物膜で形成された第３の導電膜１２０と、第１の導電膜と第２との導電膜の間に設けられ且つ金属膜及び金属酸化物膜の少なくとも一方を含み且つ第１の導電膜に含まれるイリジウムの拡散を防止する拡散防止膜１１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 キャパシタの側面の傾斜を最適化することにより、特性や信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０と、半導体基板の上方に設けられ、下部電極２１と、下部電極上に設けられた誘電体膜２２と、誘電体膜上に設けられた上部電極２３とを含むキャパシタと、上部電極上に設けられ、キャパシタのパターンを形成する際のマスクとして用いるマスク膜３１とを備えた半導体装置であって、マスク膜の側面の傾斜は、上部電極の側面の傾斜及び誘電体膜の側面の傾斜よりも緩い。 （もっと読む）

【課題】 製作技術的に比較的簡単に、電子光学的なモジュールに設けられる機能面を精密に配置し且つ形成することのできる、電子光学的なモジュールを製作するための方法を提供する。
【解決手段】 注型として、支持体（３）を挿入するための開口（２）と、カップリングパートナーのためのカップリング域とを備えたモジュールケーシング（１）を使用し、前記カップリング域に、内面が機能面（１０）の外側輪郭に対応して構成されたケーシング部材（８）を位置させ、成形体を、成形可能な材料（２８）のモジュールケーシング（１）への充填により形成するようにした。 （もっと読む）