【課題】静電防護装置接触面の崩壊電圧を下げ、プロセスステップを増やさず、同時にＨＶ−ＣＭＯＳに利用することにより、最も簡易な方法でＩＣ内部回路を保護する静電防護装置の提供。
【解決手段】静電防護装置は、第一導電型プリント基板が第一導電型井戸を含む。その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。フィールド酸化層は、第一高濃度拡散区、第二高濃度拡散区と第三、第四高濃度拡散区を隔離し、第一導電層は、第一及び第二高濃度拡散区を連接し、第二導電層は、第三高濃度拡散区と接触して電気連接する。そのうち、第三及び第四高濃度拡散区は相互に分かれ、第三と第四拡散区の距離を変え、静電防護装置の崩壊電圧を調整する。 （もっと読む）