【課題】半導体等の被処理基板にメッキを施すメッキ装置において、パーティクル発生の原因となる可動部や摺動部を排除した機構で、被処理基板表面にメッキ液を供給する。
【解決手段】メッキ液流を形成するためのポンプ２と上部に開口を有するメッキ槽１とメッキ槽１内に配置されたアノード５と被処理基板２３をメッキ液中に保持する被処理基板ホルダを備えた電解メッキ装置であって、前記メッキ室は、その内壁に沿ってその端面と平行にメッキ液が流入するように配置されたメッキ液入口と前記メッキ室の一方の端面中央に配置されたメッキ液出口を備え、メッキ処理時には、前記メッキ室のもう一方の端面に記被処理基板ホルダを配置して閉鎖し、メッキ液入口からメッキ液を流入させて、メッキ室内に竜巻状の流れを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体等の被処理基板にメッキを施すメッキ装置において、被処理基板の円形被処理領域全域を簡単な機構で隈なく攪拌する装置を提供する。
【解決手段】上部に開口を有するメッキ槽１とメッキ槽内に配置されたアノード５とアノード５と被処理基板２３の間に液流を形成するポンプ２を備え、さらに直線ガイド１３、１３１とこれに沿って往復運動する直動板１２と直動板１２に固定された弾性を有する攪拌板１５と攪拌板１５の両端を、転がり軸受１６を介してガイドする円弧状ガイドによって構成された攪拌ユニットを備え、円形開口を有する被処理基板マスク部材１８の開口に配置された被処理基板２３の被処理領域を、攪拌板１５を左右に弓形に撓ませながら往復運動させることにより攪拌するようにした。 （もっと読む）