【課題】 低温下での熱測定を高精度に実施する。
【解決手段】 本発明のある態様においては、薄層状に形成されている単層カーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）の集合体を感温部１０に備える温度センサー１００が提供される。感温部１０のＳＷＣＮＴ集合体は半導体チューブと金属チューブとの混合物を含んでおり、ＳＷＣＮＴ集合体における半導体チューブと金属チューブと組成比が、所定の値に調整されている。その所定の値は、好ましくは熱測定の際にＳＷＣＮＴ集合体が示す電気抵抗の値の範囲に応じて決定される。本発明の別の態様においては、上記感温部を含む熱容量測定センサー、熱伝導率測定器、および、ＳＷＣＮＴ集合体を含むヒーターも提供される。 （もっと読む）

【課題】所定の温度と時間が対象物に加わったかどうかを変色により目視で確認する機能と、温度センサとの機能とを兼ね備えたインジケータを提供する。
【解決手段】インジケータ１０は、基材１１と、基材１１上に設けられた第一の導電性膜２１と第二の導電性膜２２、色素と導電性高分子の混合物１３とで構成された熱時間積算型インジケータ（ＴＴＩ）である。色素と導電性高分子の混合物１３は第一の導電性膜２１と第二の導電性膜２２とを連結するように接している。混合物１３中の色素？は、分解温度で二重結合が切れて退色する材料により構成される。混合物１３中の導電性高分子は、色素の分解温度よりも高い分解温度を有する。インジケータ１０は、色素の材料の分解温度で第一及び第二の導電性膜２１、２２間の抵抗値が変化する。 （もっと読む）

微細な部分の温度測定が可能で、また、低温から高温まで幅広いレンジの温度測定も可能な、シンプルな構造の温度センサを提供提供する。
２次元電子ガスの抵抗値を用いて温度を測定する温度センサである。２次元電子ガスとしては、あらゆるものが利用可能であるが、例えばＡｌＧａＮ／ＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ系、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ／ＡｌＳｂ系、ＳｉＧｅ／Ｓｉ系、ＳｉＣ／Ｓｉ系、ＣｄＴｅ／ＨｇＴｅ／ＣｄＴｅ系、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ系の群から選択されるヘテロ構造を有するものが挙げられる。
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【課題】自己制御温度域は低温域であるが、高温域に曝されても耐える大きな正抵抗温度特性を示す抵抗体を形成する。
【解決手段】抵抗体は、最高環境温度よりも高温域に融点を持つ第１の結晶性重合体と正抵抗温度特性による自己制御温度近傍に融点を持つ第２の結晶性重合体を併用し、前記結晶性重合体に親和性補強処理がなされた導電性微粉末を分散して形成する。これにより抵抗体は、導電性微粉末に親和性補強処理を施すことによって、融点の異なる結晶性重合体を併用したときの正抵抗温度特性の低下を解消するもので、自己制御温度域で大きな正抵抗温度特性を示すとともに、より高温の環境温度に耐える正抵抗温度特性抵抗体を構成できる。 （もっと読む）