ＲＧＢ−Ｚセンサーは単一のＩＣチップ上に実施可能である。ホットミラーなどのビームスプリッタが、対象物から入射する第一及び第二のスペクトルバンド光エネルギーを受信し、好ましくはＲＧＢであるイメージ成分及び好ましくはＮＩＲＺである成分に分離する。ＲＧＢイメージとＺ成分は、それぞれイメージデータとＺデータを出力するＲＧＢピクセル検出器及びＮＩＲピクセル検出器のアレイ領域によってそれぞれ検出される。これらの領域のピクセルサイズ及びアレイ解像度は同一である必要はなく、またこれら両方のアレイ領域を共通のＩＣチップ上に形成しても良い。対象物の認識を容易にするために、イメージデータを用いたディスプレイはＺデータによって補助できる。その結果得られる構成は、ビームスプリットを行なうことによる光学的効率性と単一のＩＣチップに実施することによる簡素性とを組み合わせたものとなる。この単一チップの赤、緑、青、距離（ＲＧＢ−Ｚ）センサーの使用方法も開示されている。
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本発明は、床などの硬質または半硬質基板上で用いるための表面形状測定装置を提供する。本装置は、（ａ）ビームと、（ｂ）ビームに装着される少なくとも１つのビームサポートと、（ｃ）該ビームに摺動可能に接続され、かつ表面までの距離を測定するように構成されるセンサアセンブリと、（ｄ）該ビームに沿って該センサアセンブリの位置を測定するように構成される変換器アセンブリとを含む。
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本発明は変調された光子束（５０）を復調する光電子センサ、および少なくとも１つのそのような光電子センサを備えた特に３次元距離測定用の測定デバイスに関する。本発明の光電子センサは、半導体領域（１０）内に組み込まれ、例えば、半導体領域内で拡散され、半導体領域（１０）と逆にドープされた少なくとも２つの収集領域（２０、２２）を備える。前記収集領域（２０、２２）を用いて変調された光子電流（５０）の進入によって生じる少数担体が収集かつタップされる。さらに少なくとも２つの制御領域（３２、３４）が半導体領域（１０）内に組み込まれ、前記制御領域は制御領域（３２、３４）に印加することのできる制御電圧に従ってドリフト領域を生成する。前記制御領域（３２、３４）は半導体領域（１０）と同様にドープされている。

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本発明の様々な実施形態では、オンチップ測定情報を、順番にではなく、ランダムに出力することができ、三次元画像を必要とするオブジェクト追跡、及び他の情報のためのオンチップ信号処理を、すぐに遂行することができる。システム全体は小さく、強固で、かなり少ないオフチップの別個の構成要素を必要とし、かつ、検出信号特性の改善を示す。オンチップ回路は、そのようなTOFデータを使って、場面内の一つのオブジェクト、又は全てのオブジェクト上の全ての点の距離及び速度を、同時に、容易に測定することができる。同様に、オンチップ回路はまた、検出センサ内の各画素における検出画像の分光組成を特定することができる。有利なことに、その個々の画素が分光組成を特定することができるセンサを使用して、さらに、TOF情報を特定することもできる。
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