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Fターム[2G001HA13]の内容

放射線を利用した材料分析 (46,695) | 表示、記録、像化、観察、報知等 (3,732) | 撮像的;TV;CRT (1,803)

Fターム[2G001HA13]に分類される特許

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【課題】モジュールを組み立てたときの放熱特性を知ることができる回路基板と、その安価な製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属放熱板が形成されてなる回路基板の評価方法であって、上記金属回路の表面にシリコンチップを特定条件下で半田付けし、その半田ボイド率を測定することによって、その回路基板を用いて組み立てられたモジュールの放熱特性を知る。また、このようにして評価された回路基板と、その無電解Niめっき法による製造方法である。 (もっと読む)


【課題】低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。
【解決手段】本発明の基となっている基本原理を考慮し、対物レンズ下面に円盤状の電極を設置する事で高分解能な低真空二次電子観察を可能とする。またこの電極構造を用いて低真空用差動排気オリフィスの長さを延長した固定絞りを装備し、低真空状態における電子ビームの散乱を抑え像質の向上を可能とする。低真空SEMにおける試料周辺の残留ガス分子による二次電子増幅法と吸収電流を利用して画像を形成する方式に於いて、比較的少ない部品数で電極が作用する電界や1次電子ビームの散乱を考慮した設計によって、低真空における高分解能・良好な像質での観察を可能とする。 (もっと読む)


【課題】 元素分布および状態分布を二次元的に把握しやすく、また、一度の観測で多数の特定元素分布データを得ることができる、STEMを用いたEELS分析方法およびEELS分析装置を実現する。
【解決手段】 試料表面の座標(X,Y)の各点でそれぞれ、EELSスペクトルデータを採取する。各EELSスペクトルデータのコア・ロス吸収端及びELNES吸収端を探索し、両者のエネルギー損失量の差Edを(X,Y,Ed)の分布像として表示する。Edは伝導帯の状態密度を反映するので、(X,Y,Ed)は状態分布像に相当する。また、各座標のコア・ロス吸収端のデータから元素同定して元素濃度Cを(X,Y,C)の分布像として表示する。各座標ごとにEELSスペクトルデータを採取しているので、一度の観測で複数の元素の濃度分布を計算することができる。 (もっと読む)


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