【課題】低い周波数領域の特性評価を行う場合等においても広いスペースを必要とすることのないよう、小型化を図る。
【解決手段】インピーダンス変換用チューナ１０５の伝送線路１００Ａを、帯状の平行接地導体１０１ａ、１０１ｂと、これらの間に配置された中心導体１０２とから形成し、この伝送線路１００Ａを、略Ｃ字状に湾曲させて曲がり構造部５０Ａを有するものとした。また、伝送線路の曲がり構造部は、伝送線路を螺旋状としたり、ジグザグ状とすることでも実現できる。 （もっと読む）

【課題】広帯域特性を精度よく測定することができるロードプル測定治具を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるロードプル測定治具は、インピーダンスチューナ３２、３３を用いて、被測定素子２０の特性を評価するロードプル測定治具である。また、ロードプル測定治具は、被測定素子２０を装着する治具２３と、インピーダンスチューナ３２、３３と被測定素子２０との間の伝送線路に設けられたチェビチェフインピーダンス変成器２４、２５を有するものである。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なわずに、高温雰囲気でも、被検査ＩＣチップの電極にプローブ１６を精度良く当接できるＩＣ検査用ソケットを提供する。
【解決手段】金属ブロック３０の表面に絶縁材で熱膨張係数が小さくしかも精度良く孔が穿設できるセラミック材のガイド３２を配設し、ガイド３２の表面に絶縁材の複数のリテーナ３６を配設する。金属ブロック３０の裏面に絶縁材のリテーナ１４を配設する。表面と裏面のリテーナ３６、１４および金属ブロック３０に貫通させて穿設した孔に、プローブ１６をそれぞれ挿入し、プローブ１６を表面と裏面のリテーナ３６、１４の孔で固定し、金属ブロック３０の孔に対して遊嵌させる。表面の１つのリテーナ３６に設けられた複数のプローブ１６を１つの被検査ＩＣチップの電極に対応させ、１つの金属ブロック３０に配設した複数の表面のリテーナ３６を複数の被検査ＩＣチップにそれぞれ対応させる。 （もっと読む）

【課題】検査装置からフレキシブル基板に高周波電気信号を安定に通すことができるフレキシブル基板用の接続装置及び接続方法を得る。
【解決手段】誘電体基板１５上に形成された電極パターン１６を覆うように、導電性及び柔軟性を有するコンタクタ１７を設ける。フレキシブル基板１１の高周波信号用パターン１２をコンタクタ１７に着脱可能に押し当てて、フレキシブル基板１１の高周波信号用パターン１２と誘電体基板１５の電極パターン１６とをコンタクタ１７を介して電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性の測定を高精度に行うことができる半導体測定装置及び半導体測定方法を得る。
【解決手段】本発明に係る半導体測定装置は、半導体パッケージ１２の高周波特性を測定する測定基板１３と、半導体パッケージ１２を測定基板１３に押し付ける押さえ部１８とを有する。そして、押さえ部１８は、半導体パッケージ１２と接触する先端部分又は先端近傍の内部に空洞部１９を有する。これにより、押さえ部１８の先端の誘電率が減少する。従って、半導体測定装置の構造に起因する半導体パッケージ上部の誘電率変化を低減することができるため、高周波特性の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高周波特性測定を行う場合であっても安定した測定精度が得られる測定装置およびそれを用いた測定方法を提供する。
【解決手段】本発明の測定装置は、半導体装置の特性を測定するための測定装置であって、測定の対象となる半導体装置を載置するベース台と、ベース台に対して着脱可能な、キャリブレーション用の位置規制部材とを備える。 （もっと読む）

【課題】測定用プローブカードに適用し、かつ高周波電気測定信号のインピーダンス特性を維持する高周波プローブを提供する。
【解決手段】回路板３０の上表面３０１にある測定区域３０４は、測定ベンチの電気的接触に用いる。テストベンチにより、プローブカード２に電気測定信号が出力され、高周波測定信号は内周のプローブ区域３０３まで伝送される。回路板３０に配置される電子回路は、信号プローブ５０と接地プローブ６０に電気的に接続される数多くの信号回路３１と接地回路３２を含む。信号回路３１は、高周波測定信号の伝送に用いられ、一定の距離を置いて接地回路３２が隣り合う。接地回路３２は、直接または間接的にテストベンチの基準電位点に電気的に接続することが可能であり、信号回路３１によって伝送される高周波測定信号のインピーダンス特性を維持できる。 （もっと読む）

【課題】歪特性を劣化させることのない、高周波半導体デバイスの評価装置を提供すること。
【解決手段】被測定物として高周波半導体デバイスの測定評価を行う評価装置であって、直流正電源に接続される出力側のバイアス供給部がこの評価装置内に設けられてなることを特徴とする高周波半導体デバイスの評価装置。 （もっと読む）

【課題】 高価な高調波測定装置を使用することなく、簡便な装置にてオフ状態ＦＥＴの高調波の歪み特性を推定して評価する方法を提供する。
【解決手段】 入力する高周波信号が該高周波信号の伝送ラインに分岐接続されたオフ状態の電界効果トランジスタにより高調波歪みの影響を受けるときの歪みを評価する歪み特性評価方法において、前記オフ状態の電界効果トランジスタに印加する前記高周波信号により変化するソース・ドレイン間容量と３次高調波歪みとの相関に基づき、各電圧印加時の前記ソース・ドレイン間容量を測定することで前記３次高調波歪み特性を推定する。 （もっと読む）

【課題】 非線型歪みを、被測定物の特性に関連した特性に基づき補償する。
【解決手段】 逆特性測定器４０は、信号源１０が生成した入力信号を被測定物３０に与えた結果、被測定物３０から出力される出力信号を測定する。さらに、入力信号に基づき、被測定物３０が理想的なものである場合に、被測定物３０から出力される理想信号を取得する。しかも、出力信号に対する理想信号の関係である逆特性を取得する。この逆特性を歪み補償器５０に与える。歪み補償器５０は、入力信号を逆特性によって変換したものを、被測定物３０に与える。これにより、被測定物３０から出力された信号は、被測定物３０による歪みが補償された理想信号となる。 （もっと読む）