Fターム[2H092MA08]の内容
液晶−電極、アクティブマトリックス (131,435) | 製造方法 (16,988) | 製法、工程 (14,676) | 成膜方法 (5,204) | CVD (1,864) | プラズマ (1,102)
Fターム[2H092MA08]に分類される特許
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半導体装置、画像表示装置、半導体装置の製造方法、及び画像表示装置の製造方法
【課題】 CMOS−TFTを構成するp型及びn型TFTの各しきい値電圧を独立に効率良く(最小限のフォトリソグラフィーで)高精度に制御する。
【解決手段】 CMOS−TFTを製造するに際して、しきい値電圧(Vthp ,Vthn )制御として極低濃度にp型不純物(B:ボロン)の非選択的添加(p型及びn型TFTの双方に添加)及び選択的添加(n型TFTのみに添加)を連続的に行なう。具体的には、当初図4(a)のようにId −Vg 特性がp型及びn型TFT共に負シフトした状態から、非選択的添加により図4(b)のようにp型及びn型TFT共に正シフトさせてVthp を先ず仕様値とし、続いて選択的添加によりn型TFTのみ正シフトさせてVthn を仕様値に調整する。
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電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこれらの製造方法
【課題】 絶縁基板上にグラフォエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。)と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法を提供する。
【解決手段】 基板1に形成した段差4をシードにして、多結晶シリコン又はアモルファスシリコンを溶解した低融点金属層6(6A)からグラフォエピタキシャル成長により単結晶シリコン層7を形成し、これを表示部−周辺駆動回路一体型のLCDなどの電気光学装置のトップゲート型MOSTFTに用いる。
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