【課題】遮光性の高い遮光枠を有する反射型ブランクマスク及び反射型マスク、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１１と、前記基板表面に形成された多層反射層２１と、前記多層反射層２１の上に形成された吸収層５１を有する反射型マスクブランクおよびマスクの製造工程において、前記多層反射層形成時に選択的に成膜しない、もしくは成膜後物理的または化学的または熱処理により多層反射層２１から発生する反射強度を下げ、遮光性の高い遮光枠２５を作製する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング率が異なる多数の反射膜を効果的にパターニングして精度を向上させることができるレーザ反射型マスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 レーザビームの反射領域に所定の深さの反射膜埋め込み溝が形成されているベース基板の上部に、反射率差を有する反射膜を順次繰返して積層し、化学機械研磨工程や、レーザビームの照射またはエッチング液によるリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた部分を除いた残りの領域に積層された反射膜を除去し、溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成することにより、マスクの製造工程を容易にすると共に、正確なパターンを形成することができるレーザ反射型マスク及びその製造方法に関する。また、ベース基板の上部に犠牲膜を形成するステップと、ベース基板におけるレーザビームの反射領域と予定された領域に対するエッチング工程を通じて、犠牲膜及びベース基板をリセスして犠牲膜パターン及び所定の深さの反射膜埋め込み溝を形成するステップと、犠牲膜パターン及び反射膜埋め込み溝が形成されたベース基板の上部に、反射率の異なる第１の反射膜と第２の反射膜を、反射膜埋め込み溝が完全に埋め込まれるまで交互に繰返して積層するステップと、ベース基板の底面方向からベース基板にレーザビームを照射し、犠牲膜パターンと犠牲膜パターンの上部に積層された第１及び第２の反射膜を除去するレーザリフトオフ工程を通じて、反射膜埋め込み溝に埋め込まれた形態の反射膜パターンを形成するステップと、ベース基板の上部に残留する犠牲膜パターンを除去するステップと、を含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】曲面上においても露光を行うことができるリソグラフィ用のマスクを製造する方法を提供する。
【解決手段】表面形状の少なくとも一部が曲面である被加工物の表面を加工するために用いられるリソグラフィ用のマスクを製造する方法であって、リソグラフィを行う際に照射する光を透過しポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる基板としての透明フィルム１１に遮光層としての所定のパターンを有するニッケル膜１４を形成する工程と、ニッケル膜１４が形成された透明フィルム１１を押圧することにより変形させ、被加工物の表面の少なくとも一部の形状に沿う形状にする工程と、を含むリソグラフィ用のマスク１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】露光する光の波長の長さに関わらず、例えば可視光波長であったとしても、ナノメートル（好ましくは、シングルナノメートル）の加工分解能を実現するフォトリソグラフィ技術を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板に２以上のナノ金属微粒子が配置されたプラズモン共鳴を生じる金属構造体であって、前記ナノ金属微粒子同士のギャップが３０ｎｍ以下である、金属構造体を準備するステップ；基板表面に成膜された、波長Ｘの光に感光するフォトレジスト膜を準備するステップ；前記金属構造体をマスクとして、前記フォトレジスト膜に、前記波長Ｘよりも長い波長Ｙの光を露光するステップを含む、３０ｎｍ以下のナノパターンを含むフォトレジスパターンを作製する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】両面マスクの作製方法において、予め作製した表面パターンに損傷を与えず、位置ずれが生じた場合には、容易にやり直しが可能な両面マスクの作製方法を提供する。
【解決手段】透明基板の表裏両面に異なるパターンを有するフォトマスクの作製方法であって、透明基板の一主面上に遮光膜よりなる表面パターンを形成し、透明基板の他方の主面上にレジスト膜よりなる裏面アライメントマークを形成し、表裏のアライメントマークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフし、裏面アライメントマークを形成し、前記透明基板の裏面全面に再びレジスト膜を形成し、前記計測したずれ量分を補正してパターン描画し、再度表裏のアライメント用マークのずれ量を計測し、前記透明基板の裏面全面に遮光膜を成膜し、リフトオフして、前記遮光膜よりなる裏面パターンを形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光膜の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１上に遮光膜２と半透光膜４とを有する多階調フォトマスクの製造方法であって、半透光膜４の形状をリフトオフで形成することとして半透光膜４のエッチング工程を無くしたので、遮光膜２は半透光膜４のエッチングガスやエッチング液への耐性が必要なく、遮光膜２の材料の選択に制約が少ない多階調フォトマスクの製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】製造期間および製造コストを抑制しつつ高精度な高コントラストＸ線マスクを製造すること。
【解決手段】Ｘ線マスク形成層および中間マスク形成層が積層された基板の中間マスク形成層側に配置されたＵＶマスクを介してのＵＶレジスト層に対するＵＶ露光を含むＵＶリソグラフィー処理および第２のメッキシード層に対するメッキ処理によって中間マスク形成層に中間マスクを形成し、中間マスク形成層に形成された中間マスクを介してのＸ線レジスト層に対するＸ線露光を含むＸ線リソグラフィー処理および第１のメッキシード層に対するメッキ処理によってＸ線マスク形成層に高コントラストＸ線マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】マスクの印刷パターンの開口壁面にテーパーを形成することを目的とする。また、めっきもぐりなどを発生させることなく、形成するテーパーの角度をコントロールすることを目的とする。
【解決手段】集光された光の焦点をレジスト１１の表面からずらして、レジスト１１に集光された光を直接照射して露光し、現像して印刷パターンの開口部分に対応するレジストパターンを形成する。レジストパターンが形成された部分を除いて、基材１０に金属層をめっきにより形成し、レジストパターン、基材１０を除去してマスクを製造する。開口壁面のテーパーの角度を深くするほど、集光された光の焦点をレジスト１１の表面から基材１０側へずらす。 （もっと読む）

本開示は、露光波長において放射に対して透明である、または放射を透過する基板２１０に塗布された放射感応性層中に潜像を形成することに関する。特に、それは、いわゆる裏面リソグラフィに関し、そこでは、透明基板１１０の第１の面を通して電磁放射を投射し、透明基板の第１の面とは反対側の第２の面を覆う放射感応性層２１４を露光するために、露光システムの最終レンズ１０１が配置される。潜像（画像又はその反転画像）に対応する放射不透層を形成する、さらに処理するための５つの代替の実施例が説明される。これらの方法及びそれに対応するデバイスは、マスク（時にはレチクルと呼ばれる）を生成し、半導体デバイス中に潜像を生成し、マスクを使用して半導体デバイスのフィーチャを形成するために有用である。
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