電気信号源に接続するのに相応しい電気接続構造（２０２）を有するパッケージ基部（２００）を備える電気光学インターフェイス。半導体光信号源（２０８）は、上記基部（２００）に取り付けられ、キャビティ内に２次または高次のグレーティングを有している。信号源（２０８）は、パッケージ基部（２００）に機能した状態で接続されており、それによって、電気信号が光信号に変換される。導波路（２１６）は、信号源（２０８）に近接配置されており、その結果、光信号が導波路（２１６）に結合される。キャビティは、キャビティに対する放射電磁界がモード区別メカニズムでないような、大きさに作られ、かつ、形づくられ、かつ、配置されており、キャビティへのいかなる戻り反射光も、出力信号の品質に大きな悪影響を及ぼすことなしに、放射電磁界の結合係数に影響を及ぼすようになっている。
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横断方向閉ループファイバ共振器（１０）は、光を表面（３００）に閉じ込めるための閉ループ形状を周縁に形成する表面（３００）を有する内側クラッド（１０２）を含む。内側クラッドは、横断方向閉ループファイバ共振器（１０）の断面部において、第１の径厚さ（１０４）と第１の屈折率分布とを有する。閉ループ形状に対応するリングコア（１２０）は、内側クラッド（１０２）の対応する表面に配置される。リングコア（１２０）は、横断方向閉ループファイバ共振器の断面部において、第１の径厚さ（１０４）よりも薄い材料の第２の厚さ（１２４）と、リングコアが、閉ループ形状の周りで光をリングコア内に横断方向に導波できるように、屈折率Δによる内側クラッドの第１の屈折率よりも大きい第２の屈折率分布とを有する。
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光ファイバから光エネルギを伝達するための広帯域光ファイバタップであって、光エネルギをファイバのより高次のモードへと結合するための第１および第２のマイクロベンドと、ファイバのクラッディングに形成され、光ファイバからより高次のモードのエネルギを全反射によって反射するような角度で位置付けられた反射面とを備える光ファイバを有する。好ましい実施例では、２つのマイクロベンドは、単一モードファイバのＬＰ０１モードおよびＬＰ１１モードについてのモード間ビート長の２分の１にほぼ等しい距離だけ間隔を置かれている。
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【課題】エバネッセントカプラに一体化されたリフレクタを有する光出力カプラを提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によれば、装置は、第１および第２の光路を含む。光ビームは、第１の光路を介し導かれる。装置は、前記エバネッセントカプラに含まれ、かつ、第１および第２の光路内に一体化されたリフレクタもさらに含む。第１の光路を介し導かれる光ビームは、第１のリフレクタから反射され、それと同時に第１の光路から第２の光路へとエバネッセント結合される。 （もっと読む）