【解決手段】 面取り装置１は、板状の脆性材料２における端面２Ａの面取りする面取り手段５とそれを移動させる移動手段６を備えている。
正方形の脆性材料２が吸着テーブル３上に搬入されると、移動手段６によってハウジング７が前進されて、その収容部７Ｂに脆性材料２の端面２Ａが挿入される。その状態で、負圧室７Ａに負圧が導入されるとともに電極１１Ａ，１１Ｂに電圧が印加されるので、それらの間にグロー放電が生じて、端面２Ａが加熱される。その状態において、ハウジング７は端面２Ａの長手方向に沿って移動されるので、端面２Ａの上縁部２Ｃ、下縁部２Ｅの全域が溶融されて面取りされる。
【効果】 従来と比較して簡略な構成の面取り装置１を提供できる。 （もっと読む）

本発明は、熱的張力及び機械的張力の導入により基板を切断する方法に関する。本発明はまた、特定の切断方法により基板の形状の正確な製造に関する、本発明はまた、本発明に従った方法を実行する装置に関する。

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【課題】低コストかつ高生産性で適切な高品質単結晶シリコンシートを製造する。
【解決手段】表面領域１７０２及び所定の深さでの剥離領域１７０６を有する半導体基板１７００の提供により、材料の膜１７２０が形成される。膜の剥離の間、剥離領域のせん断は制御される。例えば、平面方向の剪断成分（ＫＩＩ）はほぼ０に保たれ、張力領域と圧縮領域に挟まれる。例えば、基体表面上のプレートを使用して剥離される。プレートは、膜の剥離の間、膜の動きを拘束し、局所的な熱処理と共に、せん断の広がりを低減させる。例えば、ＫＩＩ成分は、目的を持って高値が維持されて、剥離シーケンスを通じて、破壊伝播を案内して制御する。例えば、電子光線が照射されシリコンが断熱加熱されて高いＫＩＩ成分が提供されて、急峻の熱勾配が生じ、結果として、シリコン内の、正確に定義された深さで応力が生じる。 （もっと読む）