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Fターム[3K034BB03]の内容

Fターム[3K034BB03]に分類される特許

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【課題】プレートの材料としてセラミック以外の材料を用いながら、プレートの熱変形を防止することにより、ローコストで応答性の良い基板温度制御装置を提供する。
【解決手段】この基板温度制御装置用ステージは、基板の温度を制御する基板温度制御装置において基板を載置するために用いられるステージであって、基板と対向する第1の面に所定の厚さで表面処理が施されたプレートと、プレートの第1の面と反対側の第2の面において、表面処理が施されていない領域に接着された面状のヒータとを具備する。 (もっと読む)


【課題】給電端子が腐食することなく保護層の寿命も長く耐久性が高くてコンパクトで製造コストが低い加熱素子を提供する。
【解決手段】ヒーターパターン3aが形成される板状部1aと、板状部1aの片面から突出する導電路3bが形成される棒状部1bと、棒状部1bの板状部1aとは反対端に位置し給電端子3cが形成される先端部1cとが形成された一体物の耐熱性基材1を有し、耐熱性基材1の表面に絶縁性の誘電体層2と、誘電体層2上に導電性の導電層3とを有し、導電層3は、板状部1aではヒーターパターン3aが形成され、棒状部1bでは導電路3bが形成され、先端部1cでは給電端子3cが形成されており、前記ヒーターパターン3aと前記導電路3bの表面が絶縁性の保護層4で覆われた一体的に形成されてなるものであることを特徴とする加熱素子10。 (もっと読む)


【課題】
静電チャックなどの半導体ウェーハプロセス機器において、被覆材料内の電気的/機械的応力の集中を緩和し、被覆材料の剥離および/または割れを防止する。
【解決手段】
グラファイトなどの基材と少なくとも一つの電極パターンを有し、当該パターンの溝をB、Al、Si、Ga、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および/またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む絶縁性または半導体材料で充填して実質的に平坦な面を形成し、さらに当該実質的に平坦な面をB、Al、Si、Ga、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および/またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む少なくとも一層の半導体層で被覆する。 (もっと読む)


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