【課題】真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ_２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ_２Ｏ_４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導ＭｇＢ_２膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ（マグネシウム）とＢ（ホウ素）を含む加熱溶融したメッキ浴に、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）が、メッキ浴に含まれるＭｇのモル比を１とした時、０．０１５〜０．０２０のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にＭｇＢ_２（二ホウ化マグネシウム）膜を形成させる。 （もっと読む）