超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法
【課題】真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
その高い転移温度や安価な原料費用などから、デバイスなどへの応用が期待されている、超伝導転移温度３９Ｋを示すホウ素化合物ＭｇＢ２の作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭｇＢ２を素子化するのに必要な薄膜作成技術に関しては、合成済みのＭｇＢ２を真空中で酸化物基板などの上に１０００度近辺の温度で蒸着・反応させる方法、ＭｇとＢを同様の基板温度で同時蒸着する方法、また、Ｂを蒸着させた酸化物基板などをＭｇ雰囲気下１０００度近辺の温度で加熱する方法が知られている。
【０００３】
これらを行う装置には、蒸着法では高真空を実現する真空ポンプ系および高温加熱系が必要である。また、ＭｇとＢの同時蒸着法以外の手法では、薄膜作成までに２段階のプロセスを行う手間が掛かる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術における真空ポンプ系・高温加熱系には一般に数十万円程度以上の費用が掛かる。そこで、本発明では、真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明は、超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、前記反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、前記加熱炉によって前記粉状出発材を加熱して溶融し、前記反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、前記溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻すことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
アルゴン雰囲気中での反応により、真空ポンプ系を使用する必要が無くなり、合成に必要な費用が低減される。また、原材料から薄膜作成まで一段階での合成が行えるなったことも費用低減の要因となる。
さらに、出発材の加熱に要する温度は最大でも８００℃以下であり、従来のような１０００℃を越える加熱を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
粉状出発材である粉体試料は、以下のように構成してある。
市販の粉末試薬である、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及びホウ素（Ｂ）をモル比１０：（１０−ｘ）：ｘ：２：２で総量２ｇ秤量し混合する。塩化カリウムの量（ｘ）は３から７の間である。
なお、ホウ素（Ｂ）は下記実施例のように、超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜を作成するのみの目的では、必ずしも必要としないものである。
【０００８】
図１に示されるように、長さ１００ｍｍ、幅１０ｍｍ、高さ１０ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の酸化アルミニウム（アルミナ）製の箱型反応容器に粉体試料を入れ、長手方向の両端に直径１ｍｍ程度のカーボン棒を設置する。それぞれの棒に直径０．３ｍｍ程度の金線を圧着する。
前記粉体試料および前記反応容器を直径４０ｍｍ程度の石英管内に入れ、アルゴンガス雰囲気下になるようにする。この石英管を電気炉に挿入する。直流電源を用意し、２本の金線のうち、片方をマイナス極に、もう片方をプラス極に接続する。なお、マイナス極に接続されるカーボン棒は直径１ｍｍ程度のプラチナ線或いは数ｍｍ角厚さ１ｍｍ程度のカーボン（グラフアイト）板でも良い。アルゴンガスを１リットル毎分程度流しながら、粉体試料を４００℃以下に加熱し、１時間放置して粉体試料を乾燥させる。その後、粉体試料を４００℃以上まで加熱すると粉体試料は融けて融体となる。本反応温度は好ましくは４００−８００℃、より好ましくは４００−７００℃、もっとも好ましくは４００−６００℃である。
【０００９】
２本の金線に５Ｖ直流電圧を印加し、ミリアンペアから数十ミリアンペア程度の電流が流れることが確認できたら、そのまま３０分以下程度の時間静置する。この後、粉体試料を室温に戻し、大気中に取り出す。マイナス極側のカーボン棒に付着した黒色のＭｇＢ２が得られる。カーボン棒が、上記カーボン板であると図３に示されるように薄膜状のＭｇＢ２が得られる。
【００１０】
なお、本反応は次のとおりである。プラス極：Ｍｇ２＋＋２Ｂ３＋＋８ｅ→ＭｇＢ２（ｅは電子）マイナス極：４Ｏ２−→２Ｏ２＋８ｅこれら２式を足して：ＭｇＢ２Ｏ４→ＭｇＢ２＋２Ｏ２その他の物質である塩化マグネシウム・塩化ナトリウム・塩化カリウム・ホウ素については融点を下げて反応を促進させる触媒作用があると考えられる。
【実施例】
【００１１】
塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣ１）・ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）およびホウ素（Ｂ）をモル比１０：５：５：２：２で総量２ｇ秤量し、上記に従って得られた試料（Ａ）の磁化率の温度依存性を図２に示す。縦軸が磁化率、横軸が温度である。測定磁場は２０エルステッドである。低温約３９Ｋ付近でＭｇＢ２の超伝導に起因する磁化率の屈曲点が見られる。さらに低温では磁化率の符号が負となり、これはＭｇＢ２の超伝導に伴うマイスナー効果である。
【００１２】
ホウ素を加えず、他の試薬のモル比は上述の通りで合成した試料（Ｂ）においてもマイスナー効果は見られるが、磁化率の絶対値は小さい。これは、ホウ素添加によって、試料中の超伝導ＭｇＢ２の体積分率が上昇したことを意味する。
【００１３】
即ち、図中Ａは、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣｌ）・ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）およびホウ素（Ｂ）をモル比１０：５：５：２：２で総量２ｇ秤量し、上記に従って得られた試料の磁化率（電磁単位／１グラム）の温度依存性である。縦軸が磁化率、横軸が温度である。
【００１４】
図中Ｂは塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣｌ）及びホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）をモル比１０：５：５：２で総量２ｇ秤量して同様に合成した試料の帯磁率である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の方法により塊状のＭｇＢ２が電極上に形成されることを示す図である。
【図２】本発明で得られた生成試料とホウ素を含まない生成試料の磁化率を示す図である。
【図３】本発明の方法により薄膜状のＭｇＢ２がカーボン電極板上に形成されることを示す図である。
【技術分野】
【０００１】
その高い転移温度や安価な原料費用などから、デバイスなどへの応用が期待されている、超伝導転移温度３９Ｋを示すホウ素化合物ＭｇＢ２の作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭｇＢ２を素子化するのに必要な薄膜作成技術に関しては、合成済みのＭｇＢ２を真空中で酸化物基板などの上に１０００度近辺の温度で蒸着・反応させる方法、ＭｇとＢを同様の基板温度で同時蒸着する方法、また、Ｂを蒸着させた酸化物基板などをＭｇ雰囲気下１０００度近辺の温度で加熱する方法が知られている。
【０００３】
これらを行う装置には、蒸着法では高真空を実現する真空ポンプ系および高温加熱系が必要である。また、ＭｇとＢの同時蒸着法以外の手法では、薄膜作成までに２段階のプロセスを行う手間が掛かる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術における真空ポンプ系・高温加熱系には一般に数十万円程度以上の費用が掛かる。そこで、本発明では、真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明は、超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、前記反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、前記加熱炉によって前記粉状出発材を加熱して溶融し、前記反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、前記溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻すことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
アルゴン雰囲気中での反応により、真空ポンプ系を使用する必要が無くなり、合成に必要な費用が低減される。また、原材料から薄膜作成まで一段階での合成が行えるなったことも費用低減の要因となる。
さらに、出発材の加熱に要する温度は最大でも８００℃以下であり、従来のような１０００℃を越える加熱を必要としない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
粉状出発材である粉体試料は、以下のように構成してある。
市販の粉末試薬である、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及びホウ素（Ｂ）をモル比１０：（１０−ｘ）：ｘ：２：２で総量２ｇ秤量し混合する。塩化カリウムの量（ｘ）は３から７の間である。
なお、ホウ素（Ｂ）は下記実施例のように、超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜を作成するのみの目的では、必ずしも必要としないものである。
【０００８】
図１に示されるように、長さ１００ｍｍ、幅１０ｍｍ、高さ１０ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の酸化アルミニウム（アルミナ）製の箱型反応容器に粉体試料を入れ、長手方向の両端に直径１ｍｍ程度のカーボン棒を設置する。それぞれの棒に直径０．３ｍｍ程度の金線を圧着する。
前記粉体試料および前記反応容器を直径４０ｍｍ程度の石英管内に入れ、アルゴンガス雰囲気下になるようにする。この石英管を電気炉に挿入する。直流電源を用意し、２本の金線のうち、片方をマイナス極に、もう片方をプラス極に接続する。なお、マイナス極に接続されるカーボン棒は直径１ｍｍ程度のプラチナ線或いは数ｍｍ角厚さ１ｍｍ程度のカーボン（グラフアイト）板でも良い。アルゴンガスを１リットル毎分程度流しながら、粉体試料を４００℃以下に加熱し、１時間放置して粉体試料を乾燥させる。その後、粉体試料を４００℃以上まで加熱すると粉体試料は融けて融体となる。本反応温度は好ましくは４００−８００℃、より好ましくは４００−７００℃、もっとも好ましくは４００−６００℃である。
【０００９】
２本の金線に５Ｖ直流電圧を印加し、ミリアンペアから数十ミリアンペア程度の電流が流れることが確認できたら、そのまま３０分以下程度の時間静置する。この後、粉体試料を室温に戻し、大気中に取り出す。マイナス極側のカーボン棒に付着した黒色のＭｇＢ２が得られる。カーボン棒が、上記カーボン板であると図３に示されるように薄膜状のＭｇＢ２が得られる。
【００１０】
なお、本反応は次のとおりである。プラス極：Ｍｇ２＋＋２Ｂ３＋＋８ｅ→ＭｇＢ２（ｅは電子）マイナス極：４Ｏ２−→２Ｏ２＋８ｅこれら２式を足して：ＭｇＢ２Ｏ４→ＭｇＢ２＋２Ｏ２その他の物質である塩化マグネシウム・塩化ナトリウム・塩化カリウム・ホウ素については融点を下げて反応を促進させる触媒作用があると考えられる。
【実施例】
【００１１】
塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣ１）・ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）およびホウ素（Ｂ）をモル比１０：５：５：２：２で総量２ｇ秤量し、上記に従って得られた試料（Ａ）の磁化率の温度依存性を図２に示す。縦軸が磁化率、横軸が温度である。測定磁場は２０エルステッドである。低温約３９Ｋ付近でＭｇＢ２の超伝導に起因する磁化率の屈曲点が見られる。さらに低温では磁化率の符号が負となり、これはＭｇＢ２の超伝導に伴うマイスナー効果である。
【００１２】
ホウ素を加えず、他の試薬のモル比は上述の通りで合成した試料（Ｂ）においてもマイスナー効果は見られるが、磁化率の絶対値は小さい。これは、ホウ素添加によって、試料中の超伝導ＭｇＢ２の体積分率が上昇したことを意味する。
【００１３】
即ち、図中Ａは、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣｌ）・ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）およびホウ素（Ｂ）をモル比１０：５：５：２：２で総量２ｇ秤量し、上記に従って得られた試料の磁化率（電磁単位／１グラム）の温度依存性である。縦軸が磁化率、横軸が温度である。
【００１４】
図中Ｂは塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）・塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）・塩化カリウム（ＫＣｌ）及びホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）をモル比１０：５：５：２で総量２ｇ秤量して同様に合成した試料の帯磁率である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の方法により塊状のＭｇＢ２が電極上に形成されることを示す図である。
【図２】本発明で得られた生成試料とホウ素を含まない生成試料の磁化率を示す図である。
【図３】本発明の方法により薄膜状のＭｇＢ２がカーボン電極板上に形成されることを示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、前記反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、前記加熱炉によって前記粉状出発材を加熱して溶融し、前記反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、前記溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻すことを特徴とする。
【請求項１】
超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ２Ｏ４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、前記反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、前記加熱炉によって前記粉状出発材を加熱して溶融し、前記反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、前記溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻すことを特徴とする。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２００８−１４３７８０（Ｐ２００８−１４３７８０Ａ）
【公開日】平成２０年６月２６日（２００８．６．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４０７５（Ｐ２００８−４０７５）
【出願日】平成２０年１月１１日（２００８．１．１１）
【分割の表示】特願２００２−１６３７３７（Ｐ２００２−１６３７３７）の分割
【原出願日】平成１４年６月５日（２００２．６．５）
【出願人】（５０５３７４７８３）独立行政法人 日本原子力研究開発機構 (727)
【出願人】（３０１０２３２３８）独立行政法人物質・材料研究機構 (1,333)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年６月２６日（２００８．６．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月１１日（２００８．１．１１）
【分割の表示】特願２００２−１６３７３７（Ｐ２００２−１６３７３７）の分割
【原出願日】平成１４年６月５日（２００２．６．５）
【出願人】（５０５３７４７８３）独立行政法人 日本原子力研究開発機構 (727)
【出願人】（３０１０２３２３８）独立行政法人物質・材料研究機構 (1,333)
【Ｆターム（参考）】
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