【課題】酸化チタン膜および酸化チタン膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化チタン膜は、表面被膜として使用され、１μｍ以下のミクロポア構造と、１μｍを超えるマクロポア構造を有し、マクロポア構造の空孔率が、酸化チタン膜の表面に対する面積率で０．０２以上とされている。また、本発明では、マクロポア構造の空孔率は、０．０６〜０．４とされることが好ましい。さらに本発明は、４級アンモニウム化合物を含む電解液にチタンを含むアノードを浸漬し、アノードをプラズマ電解酸化してアノード表面に酸化チタン膜を形成する工程を含む、酸化チタン膜形成方法を低供する。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプを用いないプロセスでＭｇＢ２薄膜合成を行う手法を提供する。
【解決手段】超伝導ホウ素化合物ＭｇＢ_２薄膜の作成方法であって、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、ホウ酸マグネシウム（ＭｇＢ_２Ｏ_４）、及び必要に応じホウ素（Ｂ）を混合した粉状出発材が収納された反応容器を加熱炉内に配置し、反応容器の周囲をアルゴンガス雰囲気としながら、加熱炉によって粉状出発材を加熱して溶融し、反応容器に設置した電極間に直流電流を印可して、溶融体に電流が流れることを確認後、静置して室温に戻す。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度（Ｊ_ｃ）を従来製品に比べ飛躍的に向上させることのできる超伝導ＭｇＢ_２膜の電気メッキによる作製法を提供すること。
【解決手段】Ｍｇ（マグネシウム）とＢ（ホウ素）を含む加熱溶融したメッキ浴に、Ｍｇ（ＯＨ）_２（水酸化マグネシウム）が、メッキ浴に含まれるＭｇのモル比を１とした時、０．０１５〜０．０２０のモル比で添加され、メッキ浴に導電体基板を陰極として挿入し、陽極との間に直流電圧をかけ、導電体基板上にＭｇＢ_２（二ホウ化マグネシウム）膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 超伝導性ナノアーキテクチャを備えた焼結セラミック複合リードの提供。
【解決手段】 （Ａ）＊ナノサイズ超伝導粒と、
＊ナノ厚多酸化ケイ酸塩ガラス膜及びドットを構成する追加相エレメントと、
＊ナノサイズドットの形状をした、無機エレメント等の組合せから構成する更に別のナノサイズ相エレメントと、
から成る物理−化学相組成と、
（Ｂ）幾何学的に規則的な３Ｄセッティングネットワークを備え、粒界領域に存在する追加の及び更に別の相エレメントから成り、ナノサイズ超伝導粒をケージング及びフレーミングし、追加の及び更に別の相エレメントによって囲まれた超伝導粒を備える３Ｄナノサイズセルネットワークとともに成形し、超伝導粒のナノセッティングを提供する３次元超伝導ナノ構造と、を備えた焼結セラミック複合超伝導マクロリード。 （もっと読む）