【課題】熱ＣＶＤ法によって、Ｍ（ＢＨ_４）_４（Ｍは、Ｚｒ又はＨｆを意味する）を原料としてＭ／Ｚｒ比が適正範囲内で良質なＭＢ_ｘ膜（Ｍは前記と同じ意味を有し、ｘは１．８〜２．５の数を意味する）を成膜する。
【解決手段】ガス供給源１９から、ガス供給配管１５ａを介してＨ_２ガスを原料容器２１内に供給する。原料容器２１内では、導入されたＨ_２ガスとの接触によって、固体原料のＺｒ（ＢＨ_４）_４が気化する。そして、成膜ガスとしてのＨ_２ガスとＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスの混合ガスが、ガス供給配管１５ｃ，１５ｃ１、シャワーヘッド１１のガス拡散空間１２及びガス吐出孔１３を介して処理容器１内に導入され、ウエハＷ上の絶縁膜の表面を覆うように、ＺｒＢ_ｘ膜の薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも高効率で特定成分を回収する。
【解決手段】特定成分を含む液体を凍結させる凍結工程と、該凍結工程で得られた凍結物を局部的に融解させると共に融解部を一定方向に順次移動させて特定成分を濃縮する濃縮工程と、該濃縮工程によって得られた濃縮液から特定成分を回収する吸着工程と、該吸着工程によって得られた特定成分を吸着材から分離する分離工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 アスベスト飛散防止剤及びアスベスト飛散防止方法を提供すること。
【解決手段】 ケイ素又はホウ素を含有する水性造膜性無機化合物を含むアスベスト飛散防止剤。水性造膜性無機化合物は、例えば、金属シリコンと、鉱酸化合物と、アルカリ金属水酸化物とを40℃以上の温度で水中にて反応させることによって得られる。 （もっと読む）

本発明は、構造的特徴Ｓｉ−Ｎ−Ｂを有するボロシリルアミン、及び構造的特徴Ｓｉ−Ｘ−Ｂを有するボロシリル炭化水素［ここでＸは、メチレン基又は炭化水素鎖Ｃ_xＨ_y又は環状の炭化水素単位であることができる］を、それらとジシラザンＲ₃Ｓｉ−ＮＲ−ＳｉＲ₃との反応により塩フリーで重合する新規方法に関する。 （もっと読む）

本発明はクラスターボロン（Ｂ_１８Ｈ_２２）を合成するための新規方法を提供する。好ましい本発明の方法は、Ｂ_１８Ｈ_２２を高収率かつ高純度で生産するための、Ｂ_２０Ｈ_１８^２−の共役酸の生成および溶液中の酸の変性を含む。本発明はさらに、同位体が濃縮されたボラン、特に同位体が濃縮された^１０Ｂ_１８Ｈ_２２および^１１Ｂ_１８Ｈ_２２を提供する。
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化学的にドーピングされたホウ素のコーテイングはＣＶＤにより炭化ケイ素フアイバに施され、次いでコーテイングされたフアイバはマグネシウム蒸気に曝されて、ドーピングされたホウ素がドーピングされた２ホウ化マグネシウム（MgB2)に変換され、結果として 超伝導性になる。 （もっと読む）

物理的特性（例えば、電気的な特性及び超伝導性）だけでなく、制御された直径及び制御された化学特性（例えば、組成、添加剤添加）を備えた、例えばナノチューブ及びナノワイヤーのようなホウ素を基礎とするナノ構造体の成長のための製造方法が記載されている。そのホウ素ナノ構造体は、ほぼ４ナノメーター未満の均一な細孔直径である細孔を有する、金属が置換したMCM−４１鋳型上で成長し、このホウ素ナノ構造体には、Ｉａ族及びＩＩａ族の電子供与性の元素を、そのナノ構造体の成長過程及び成長後に添加することができる。予備的な磁気的な感受性測定試験のデータは、マグネシウムを添加されたホウ素ナノ構造体が、絶対温度１００Ｋのオーダーの超伝導遷移温度を有することを示唆した。

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