Fターム［4G047KD00］の内容
重金属無機化合物 (11,210) | 製法−基板上への膜形成（気相法を除く） (127)
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Fターム［4G047KD00］に分類される特許
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超電導体膜及びその製造方法
【課題】臨界電流密度Ｊｃが高く、かつ磁場角度依存性が小さい超電導体膜を提供する。
【解決手段】
一般式ＲＥＢａ２Ｃｕ３ＯＸ（式中、ＲＥはＰｒ及びＣｅを除く希土類元素のうち、少なくとも１種の元素であり、６．５＜Ｘ＜７．１である）で表される超電導物質からなる超電導体層中に、Ｂａを含む常電導物質からなり、膜厚方向に間欠的に並んだ柱状結晶が形成されている。
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