【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学式XC（但し、Xは、Ti, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類）で表される岩塩型遷移金属炭化物単結晶、または、化学式X_(1-x)Y_xC（但し、X及びYは、Ti, V, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類であり、XとYは異なる元素で、０＜ｘ＜０．３）で表される岩塩型遷移金属炭化物固溶体単結晶からなり、主面が(111)面である窒化物半導体結晶成長用基板。 （もっと読む）