【課題】リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく、効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】リン系化合物半導体の原料としてスズと三リン化四スズとの混合物を用い、当該混合物を不活性ガス雰囲気中で加熱し、発生したリンの蒸気をリンとの反応によって半導体を形成する金属の表面に接触させることを特徴とするリン系化合物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質の窒化物半導体基板を簡易な方法で製造する方法を提供する。
【解決手段】格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板１の一方の面上に、第１の窒化物半導体層４を温度Ｔ₁でエピタキシャル成長させ、次いで、温度Ｔ₁より高い温度Ｔ₂において、第１の窒化物半導体層４の形成時に使用されるガスと元基板１とを反応させて元基板１を除去する。 （もっと読む）

【課題】 温度制御を熱電対および放射温度計のいずれかに切替える場合に、半導体基板の温度の制御性を向上した気相成長装置、気相成長装置の温度制御方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 容器１１と、容器１１に収納された半導体基板１２を保持する保持基板１３と、半導体基板１２を加熱する加熱手段１４と、保持基板１３の温度を検出する熱電対１８と、第１温度調節器１９とを有する第１温度制御系２６と、半導体基板１２の温度を検出する放射温度計２１と、第２温度調節器２２とを有する第２温度制御系２７と、第１および第２温度制御系２６、２７の一方による半導体基板１２の加熱中に、一方の温度制御系の加熱操作量を引き継いで他方の温度制御系による半導体基板１２の加熱に切替える制御部２５と、を具備する。 （もっと読む）