【課題】熱電変換材料の単結晶を製造するに際し、結晶成長を継続させることができる熱電変換材料結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長装置は、熱電変換材料を溶融させた溶液１１が配置されるるつぼ１０と、棒状の一端側の先端２１における結晶支持点２２に熱電変換材料の種結晶６０が固定される結晶支持棒２０と、種結晶６０に成長する熱電変換材料の単結晶６１を結晶支持棒２０を介して冷却することにより溶液１１の温度に対して単結晶６１の結晶成長面６２の温度を低下させる冷却手段４０と、を備えている。そして、種結晶６０を溶液１１に浸し、冷却手段４０によって単結晶６１の結晶成長面６２の熱を結晶支持棒２０に引き出すことで結晶成長面６２の温度と溶液１１の温度との温度差を確保する。 （もっと読む）

【課題】選択エピタキシャル成長を用いて基板上に半導体膜を選択的に形成する際に、半導体膜の形状制御が可能で、かつ、再現性・安定性の高い成膜手法を提供する。
【解決手段】基板３００の表面に露出したシリコン表面にシリコン系の堆積膜を選択成長させる基板処理方法において、基板を処理室２０１内に搬入する工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第１の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともシラン含有ガス、又は、シラン含有ガス及びゲルマン含有ガスを供給して前記基板３００に堆積膜を成長させる工程と、前記処理室２０１内の圧力を制御する第２の圧力制御工程と、前記処理室２０１内に少なくともエッチングガスを供給して表面に露出したシリコン表面以外の部分をエッチングする工程と、を有する基板処理方法である。 （もっと読む）