【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 紫外線光によって透過率の低下しない水晶体が求められていた。
【解決手段】 本発明は、Ａｌ（アルミニウム）とＯＨ基を含む水晶体であって、前記Ａｌの濃度値と前記ＯＨ基の濃度値とが、（ＯＨ基濃度／Ａｌ濃度値）＝２となる直線と、Ａｌ濃度値が１ｐｐｍ以下となるＡｌ濃度許容範囲とＯＨ基濃度値が６０ｐｐｍ以下となるＯＨ基濃度許容範囲とで囲まれた領域にあり、この状態で前記Ａｌと前記とが結合している水晶体により、紫外線光により透過率低下しない水晶体を実現している。またその製造方法を提供している。 （もっと読む）

【課題】 高い硬度を有する高硬度ダイヤモンド結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒素含有量が３ｐｐｍ以下の合成ダイヤモンド結晶を形成する工程と、合成ダイヤモンド結晶に中性子を照射する工程と、中性子の照射後に合成ダイヤモンド結晶を８００℃以上２０００℃以下の温度で１時間以下熱処理する工程とを含む高硬度ダイヤモンド結晶の製造方法である。ここで、中性子の照射量が５×１０¹⁷／ｃｍ²以上２×１０¹⁹／ｃｍ²以下であることが好ましい。 （もっと読む）