【課題】ＳｉＣ半導体基板の不純物元素を捕捉・固定するためのゲッタリング層の形成を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０上にＳｉＣエピタキシャル層１６を形成し、該エピタキシャル層１６にイオン注入および熱処理を行なって半導体素子を製造する方法において、上記ＳｉＣ基板１０よりも欠陥密度の高いゲッタリング層１３を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コストが安く、また、短時間で容易に高温高圧相に変換させる無機固体材料の相変換方法を提供することを課題とする。
【解決手段】高温高圧相を得るための無機固体材料の相変換方法であって、電子線が透過可能な長さの粒子径を有する微粒子からなる無機固体材料８を減圧下、室温未満とする工程と、減圧下、室温未満の雰囲気で、エネルギー５００ｋｅＶ以上の電子線４を、照射量１×１０^１０／ｃｍ^２以上で、無機固体材料８に照射し、透過させる工程と、を有する無機固体材料の相変換方法を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示する。方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。 （もっと読む）

【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するＳｉＣ層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】（ａ）最初のＳｉＣ結晶層（Ｅ）における浅い表面層（Ａ）に炭素原子(Ｃ)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、（ｂ）当該層を加熱することにより、注入表面層（Ａ）からバルク層（Ｅ）へ格子間炭素原子（Ｃ）を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりＳｉＣ層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層（Ａ）を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。 （もっと読む）

ｐ型酸化亜鉛（ＺｎＯ）を調製する方法が記載される。ｐ型ＺｎＯは、ｎ型ＺｎＯ基材に低エネルギーのアクセプタイオンを注入し、そしてアニールすることによって調製される。別の実施態様では、ｎ型ＺｎＯ基材が低エネルギーのドナーイオンを注入することによって予備ドーピングされる。ｐ型ＺｎＯは種々の光電子素子において用途を有することができ、また、上記のようにして調製されたｐ型ＺｎＯ及びバルクｎ型ＺｎＯ基材から形成されたｐ−ｎ接合が記載される。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物結晶の転位密度を非破壊に精度良く測定することができるフッ化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 フッ化物結晶の転位密度を測定する方法であって、フッ化物結晶０１中の転位線０２に欠陥集合体０３を発生させる工程と、前記欠陥集合体０３を光学的に検出して転位線密度を測定する工程と、前記欠陥集合体０３を消去する工程とを有するフッ化物結晶の転位密度測定方法。前記転位線に欠陥集合体を発生させる工程が、放射線をフッ化物結晶に照射する工程である。前記欠陥集合体を光学的に検出する工程が、光をフッ化物結晶の欠陥集合体に照射する工程と、前記欠陥集合体により散乱された光を検出する工程である。前記欠陥集合体を消去する工程が、フッ化物結晶を冷却しながら放射線を照射する工程である。 （もっと読む）