【課題】付加的な生産工程を必要とすることなく、利用可能な電気化学反応面を最大にし、稼働寿命を延ばす反応炉に使用される電極を提供する。
【解決手段】本質的にダイヤモンドからなり、前記ダイヤモンドは、ドーパントを含んで導電性を有し、１ＭΩｃｍ以下の電気抵抗率を有し、主要作業面のうちの少なくとも１つの作業面の領域内の深さ５０ｎｍまでのドーパントの平均濃度が少なくとも８×１０^１９原子／ｃｍ^３である主要作業面を有する電極であって、特定のドーパント濃度分布、厚み、側方寸法、及び表面積のうち少なくとも１つの技術的特徴を有する上記電極。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着（ＣＶＤ）による大面積の単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法を提供する。
【解決手段】化学蒸着によりダイヤモンド基体上にホモエピタキシャル成長したダイヤモンドを、ダイヤモンド成長が起こった基体の表面を横切って切り離すことにより得られる単結晶ダイヤモンドプレートであって、それの向かい合う側に主表面を有し且つそれら主表面と交差する転位を有している該ダイヤモンドプレートにおいて、主表面と交差する前記転位の密度が、５０／ｍｍ^２を超えておらず、そして、少なくとも１つの長さ寸法が１０ｍｍを超えている （もっと読む）

【課題】光デバイス若しくは素子中に、又は光デバイス若しくは素子として、使用するのに適したＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料を提供する。
【解決手段】低く均一な複屈折性、均一で高い屈折率、歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動、低く均一な光吸収、低く均一な光散乱、高い光（レーザ）損傷閾値、高い熱伝導率、高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性、機械的強度、磨耗抵抗性、化学的不活性等の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料であって、前記ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の製造方法は実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと、原料ガスを提供するステップと、原料ガスを解離して、分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと、実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いて製造される単結晶ダイヤモンド材料、特に、レーザーのような光学的用途における使用に適する特性を有するダイヤモンド材料が、開示される。特に、室温で測定した場合に、最長長さ内部寸法、複屈折及び吸収係数の好ましい特性を有するＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料が、開示される。ラマンレーザーを含めて、前記ダイヤモンド材料の使用、及び前記ダイヤモンドの製造方法もまた開示される。 （もっと読む）

合成環境内にて基板上でダイヤモンド材料を合成するための化学蒸着(CVD)方法であって、以下の工程：基板を供給する工程；原料ガスを供給する工程；原料ガスを溶解させる工程；及び基板上でホモエピタキシャルダイヤモンド合成させる工程を含み；ここで、合成環境は約0.4ppm〜約50ppmの原子濃度で窒素を含み；かつ原料ガスは以下：a)約0.40〜約0.75の水素原子分率H_f；b)約0.15〜約0.30の炭素原子分率C_f；c)約0.13〜約0.40の酸素原子分率O_fを含み；ここで、H_f＋C_f＋O_f＝1；炭素原子分率と酸素原子分率の比C_f:O_fは、約0.45:1＜C_f:O_f＜約1.25:1の比を満たし；原料ガスは、存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の原子分率が0.05〜0.40で水素分子H₂として添加された水素原子を含み；かつ原子分率H_f、C_f及びO_fは、原料ガス中に存在する水素、酸素及び炭素原子の総数の分率である、方法。 （もっと読む）

成長単結晶ダイヤモンド基板の製造方法であって、以下の工程：(a)(001)主要表面（この主要表面は、少なくとも1つの<100>稜で境界が定められ、前記少なくとも1つの<100>稜の長さは、前記少なくとも1つの<100>稜に直交する表面のいずれの寸法をも少なくとも1.3:1の比で超えている）を提示する第1のダイヤモンド基板を準備する工程；及び(b)化学蒸着(CVD)合成条件下で前記ダイヤモンド材料表面の(001)主要表面上でダイヤモンド材料をホモエピタキシャル成長させる工程（このダイヤモンド材料は主要(001)表面に垂直、及び主要(001)表面から横方向の両方に成長する）を含む方法。 （もっと読む）

ファンシーな橙色の合成CVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDによって成長した単結晶ダイヤモンド材料を照射して該CVDダイヤモンド材料の少なくとも一部に孤立空孔を導入する工程及び照射されたダイヤモンド材料を次にアニールして、導入された孤立空孔の少なくともいくつかから空孔鎖を形成する工程を含む。ファンシーな橙色のCVDダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）

単結晶CVDダイヤモンド材料にNV中心を導入する方法を開示する。方法の一工程は、単置換型窒素を含むダイヤモンド材料を照射してダイヤモンド材料中に少なくとも0.05ppm、多くても1ppmの濃度で孤立空孔を導入することを含む。方法の別の工程は、照射されたダイヤモンドをアニールして、単置換型窒素欠陥及び導入された孤立空孔の少なくともいくつかからNV中心を形成することを含む。ピンクCVDダイヤモンド材料及びスピントロニクス特性を有するCVDダイヤモンド材料についても記述する。 （もっと読む）

ファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色のCVDダイヤモンド材料の製造方法を開示する。本方法は、CVDプロセスで成長した単結晶ダイヤモンド材料に電子を照射して、ダイヤモンド材料中に孤立空孔を導入する工程を含み、照射されたダイヤモンド材料は(又はさらなる照射後処理後に)、全空孔濃度[V_T]×経路長Lが少なくとも0.072ppm・cm、多くても0.36ppm・cmになるような全空孔濃度[V_T]及び経路長Lを有し、かつダイヤモンド材料はファンシーな淡い青色又はファンシーな淡い青色／緑色になる。ファンシーな淡い青色のダイヤモンドをも開示する。 （もっと読む）

少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線(典型的にUV線)への曝露及び525℃(798K)での熱処理後にその吸収特性に差異を示すダイヤモンド材料から出発し、ダイヤモンド材料内に欠陥を導入するように制御された照射を施す。制御された照射後、少なくとも5.5eVのエネルギーを有する放射線への曝露及び525℃(798K)での熱処理後の吸収特性の差異が減少する。孤立空孔の特性を示す吸収特徴を有するダイヤモンド材料をも開示する。 （もっと読む）