Fターム[4G077GA07]の内容
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Fターム[4G077GA07]に分類される特許
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シリコン半導体基板とその製造方法
【課題】 結晶をOSF領域となる育成条件で育成したうえで、結晶中のグロウンイン欠陥を低減するのみならず、OSF領域に残存していたOSF成長の核となる酸素析出物をも低下させ、電気特性に優れ、かつ高いゲッタリング能を持つシリコン半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶に窒素を添加してウェーハの全面をOSF領域とし、結晶を低酸素化した上で、さらに単結晶育成時における1050℃〜1000℃の温度領域の冷却速度を2.0℃/min以下とする。さらに加えて、1000℃〜800℃の温度領域の通過時間を350分以上とする。これにより、酸素析出物のサイズを制御し、OSF核となるほど大きな酸素析出物の発生を完全に抑制し、電気特性を悪化させるような比較的大きな酸素析出物の発生をも抑制し、高密度のBMDを形成するための微小な酸素析出物が結晶中に形成される。
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