【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料となる半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、晶出側半導体棒を所望の直径まで拡大させながら成長させてコーン部を形成する工程と、晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、原料の供給を止め、晶出側半導体棒の直径を縮小させて該晶出側半導体棒を溶出側半導体棒から切り離す工程を含むＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、少なくとも、前記直胴部形成工程中、特に、前記直胴部形成工程の最後で、前記晶出側半導体棒切り離し工程前に、原料を供給しつつ、晶出側半導体棒の直径を制御して自動的に縮小する工程を行う。 （もっと読む）

ほぼ多角形の横断面を有する単結晶のＳｉウェーハを製造する方法およびほぼ多角形の横断面を有する単結晶性のＳｉウェーハ。著しい材料節約を保証し、大きな直径と大きな育成長さとを有する結晶を可能にしかつ従来公知の方法よりも手間のかからないことが望まれる、ほぼ多角形の横断面と、ゾーン育成されたＳｉ結晶の材料品質とを有する単結晶のＳｉウェーハを製造する方法において、開始段階で、垂下した溶融滴から公知の手段を用いて少なくとも１つのネック部を鉛直方向下方に引き下げ、その後に、結晶回転を０〜＜１ｒ．ｐ．ｍ．の回転数にまで減少させ、引き続き、成長段階で、ほぼ多角形の横断面を有するＳｉ単結晶を鉛直方向下方に引き下げ、この場合、電流分配を成形するための手段を有するインダクタを、育成したい結晶インゴットの横断面の形状に対応する、成長相境界における形状を有する温度分布を発生させるために使用し、次いで、所望の引張長さもしくは育成長さの達成時に結晶インゴットの定常の成長を終了させ、結晶インゴットをスライス切断して、多角形の横断面を有するウェーハを形成する。本発明による解決手段は、ｎ個の辺数のジオメトリを有する多角形のストリエーションパターンを有する、ほぼ多角形の横断面を有する単結晶性のＳｉウェーハをも包含する。
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