Fターム［4G077PF00］の内容
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Fターム［4G077PF00］に分類される特許
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化合物半導体単結晶の製造方法
【課題】 ＬＥＣ法により結晶径１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止することにある。
【解決手段】 ＬＥＣ法により結晶径が１５０ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造する方法において、単結晶製造中の結晶回転数を８〜１２（ｒｐｍ）の範囲に定める。
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