【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】超高純度、極小数キャリア寿命の単結晶シリコンの連続的かつ急速な成長用のシステム及び方法に関する。
【解決手段】単結晶インゴットの連続的な成長のためのチョコラルスキー法に基づく改良されたＣＺシステムは、結晶を囲む選択的な堰を有する、低アスペクト比で大きい直径の、実質的に平面状の坩堝を備える。低アスペクト比の坩堝は、完成品の単結晶シリコンインゴット中の実質的に対流を除去して酸素含有量を低減する。異なる基準で制御されたシリコンプレ溶融炉チャンバは、結晶引上処理中の垂直移動及び坩堝引上システムの必要性を有利に除去した、成長坩堝への溶融シリコンの連続的な供給源を提供する。坩堝下方の複数のヒータは、溶融物に亘る対応する温度ゾーンを構築する。ヒータの温度出力は、改良された結晶成長のために溶融物に亘ってそして結晶／溶融物界面で最適温度制御を提供するために個々に制御される。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減できる単結晶の製造方法、および単結晶から結晶欠陥が発生した部位を効率よく検知して除去することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる過程において、検出される単結晶の直径と引き上げ速度の目標値に基づき、引き上げ速度の操作を制限するスパンおよびヒータ温度の設定値を演算し、引き上げ速度をスパン内で操作するとともに、ヒータ温度を設定値に操作して単結晶の直径を制御する際に、引き上げ速度の実績値から算出される移動平均の揺らぎを制御することを特徴とする単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより精密に抑制する。
【解決手段】肩部２２０は、種結晶２１０側から直胴部２３０側に向けて、徐々にその直径が拡大していく形状を有している。また、直胴部２３０は、上方から下方に向けてその直径Ｄがほぼ同じとなるような形状を有している。なお、直胴部２３０の直径Ｄは、所望とするサファイア単結晶のウエハの直径よりもわずかに大きな値に設定される。そして、尾部２４０は、上方から下方に向けて徐々にその直径が縮小していくことにより、上方から下方に向けて、尾部が凸状となる形状を有している。そして、尾部２４０の長さＨと、直胴部２３０の直径Ｄとの比Ｈ／Ｄを、０．２≦Ｈ／Ｄ≦０．４とする。 （もっと読む）

【課題】 ルツボの回転数と引上軸の引上速度とを適切に制御することにより、ウエハ取得枚数の歩留の向上を図ったＧａＡｓ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 不活性ガスを充填したチャンバ２内に、ＧａＡｓ原料と封止剤としての三酸化硼素とを収納したルツボ５を設置する。ヒータ８によりルツボ５を加熱して、ルツボ５内にＧａＡｓ融液９を生成する。その後、ＧａＡｓ融液９に引上軸３の下端に取り付けた種結晶７を接触させ、ルツボ５を回転させながら種結晶７を引き上げてＧａＡｓ単結晶１０を製造する。このとき、ルツボ５の回転数ｎ〔ｒｐｍ〕と引上軸３の引上速度Ｖ〔ｍｍ／ｈ〕とが、２８≧ｎ≧５．８９ｅ^{０．０７Ｖ}を満足するようにする。 （もっと読む）

【課題】種結晶の下端に接する絞り部および絞り部に接するネック部の長さを長くすることなく転位を除去できる形状のシリコン単結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶７と、種結晶７の下端に接し、種結晶７から離れるほど径が減少する絞り部８と、絞り部８の下端に接し、径が一定のネック部９と、ネック部９の下端に接する肩部１０とを備えるシリコン単結晶を、正面投影した場合に、絞り部８の輪郭が、種結晶７の下端の輪郭とネック部９の上端とを結ぶ直線よりも内側に位置し、かつネック部９の輪郭を絞り部８の下端における接線となすものとする。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法によりシリコン単結晶を育成するに際し、肩形成工程での有転位化を抑制して歩留りを向上させ、生産性を高めることができる肩形成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による直径４５０ｍｍのシリコン単結晶の育成時に、ネック部９からボディ部１２に至る間の高さ（肩部１１の高さ）ｈを１００ｍｍ以上とする。この肩形成方法は、所定強さの横磁場を印加した条件下で適用すれば、肩形成工程での有転位化を抑制し、欠陥のないシリコン単結晶を高い生産効率で育成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により直径４５０ｍｍのシリコン単結晶を育成するに際し、テイル部での有転位化の発生を抑制し、歩留りおよび生産性を向上させることができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により直径Ｄが４５０ｍｍの直胴部１１ｃを有するシリコン単結晶１１を育成する際に、直胴部１１ｃに続いて形成するテイル部１１ｄの長さを１００ｍｍ以上にする。そのテイル部１１ｄの形成時に、０．１Ｔ以上の横磁場を印加する。 （もっと読む）

【課題】結晶育成の成功率が８０％以上に改善され、しかも、結晶中の転位列の発生が抑制された高品質酸化物単結晶を再現性良く、低コストで製造可能な酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いてニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウム等の酸化物単結晶を育成する方法において、育成される結晶の直胴部３の直径ｄと坩堝５の内径Ｄの比ｄ／Ｄを０．８〜０．９として育成する。育成結晶と用いる坩堝５の直径比が大きいため、所望の直径ｄの単結晶を得るのに必要な坩堝５が小さくて済み、高価な貴金属類の使用量が減る。 （もっと読む）

【課題】無欠陥領域を有するシリコン単結晶を歩留まりよく製造できるシリコン単結晶の製造方法および無欠陥領域が高い割合で存在するシリコン単結晶を実現する。
【解決手段】ルツボに収容されたシリコン融液からシリコン単結晶１を引き上げながら成長させて無欠陥領域を有するシリコン単結晶１を製造する製造方法において、シリコン単結晶１の外周Ｂと引き上げ軸Ａとの中間Ｍ位置における固液界面の高さに対する引き上げ軸Ａの位置の固液界面の高さＨが、シリコン単結晶１の半径をＲとしたとき０＞Ｈ≧−０．１５Ｒの範囲となるように、シリコン単結晶１の引き上げを行う。 （もっと読む）

【課題】微小電子（microelectronic）素子製造方法及び装置に関するもので、より詳しくはシリコンインゴット製造方法及びそれによって製造されたシリコンインゴット及びウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンインゴットがインタースチシャル固まりを防止できるくらい十分高いが、べーカンシー固まりをべーカンシー豊富領域Ｖ内に制限できるくらい十分低いインゴットの引上速度プロファイルで、ホットゾーン炉内の溶融物からインゴットを軸方向に引上させることで製作される。このように引上されたインゴットは各べーカンシー固まりを含むその中央のべーカンシー豊富領域Ｖと、べーカンシー豊富領域Ｖとウェーハの縁部分の間に位置しながらべーカンシー固まり及びインタースチシャル固まりがない無欠陥領域Ｐを有する複数個のセミ-無欠陥ウェーハＷ_１乃至Ｗ_４にスライシングされる。 （もっと読む）

【課題】るつぼの変形を考慮したインゴットの引上げにより、品質不良のインゴットの発生を防止し、マルチ引上げにおいて１本目と同等の品質のインゴットを複数本引上げる。
【解決手段】先ずシリコン原料の融解時の実験用るつぼ３４の変形量及び実験用ヒータ３８への供給電力の履歴を測定して量産用るつぼ１４の変形傾向を求める。次に量産用るつぼの寸法を測定し、実験用るつぼへの供給量と同量のシリコン原料を量産用ヒータ１８により融解し、引上げ開始前に所定のギャップＸをあけて初期るつぼ外部位置を測定する。更に実験用るつぼの変形傾向と上記初期るつぼ外部位置との関係などに基づいてシリコン原料融解時の量産用るつぼの変形量を予測し、量産用るつぼの変形量に基づいて上記所定のギャップをあけたときの初期るつぼ内部位置を予測し、更にインゴットの最適な引上げ速度を予測計算から導き出して、最適な引上げ速度でインゴットの引上げを開始する。 （もっと読む）

【課題】 転位クラスター発生領域を含み、０．０９μｍ以上のＬＰＤ密度が少ないシリコン単結晶を育成できるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成する方法であって、単結晶を育成する雰囲気ガスが、水素含有物質の気体を含み、前記シリコン単結晶の径方向断面の少なくとも一部に転位クラスター発生領域が形成される引き上げ速度であり、かつ、赤外線散乱体欠陥発生領域が形成される引き上げ速度よりも遅い引き上げ速度でシリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の育成方法とする。 （もっと読む）

【課題】 炉内付着物の成長結晶および原料溶液への落下を防止し、高品質の単結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸６に、るつぼ１の開口面を覆う傘１１を備えた。 （もっと読む）