【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】固形原料の融解に要す時間を短縮でき、操業効率の向上を十分に実現できる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】引き上げ装置は、ルツボ２内の固形原料９を加熱して融解させ原料融液１０を形成するヒータ４と、ルツボ２の上方で引き上げ中の単結晶１１を包囲する筒状の熱遮蔽体８と、熱遮蔽体８の直上に配置され、水平方向に互いに接近および離間するスライド移動が可能な一対の断熱板１２と、これらを収容するチャンバ１と、を備え、ルツボ２内で初期チャージの固形原料９を融解させる際、各断熱板１２をスライド移動させて断熱板１２全体で熱遮蔽体８の内側開口を被う状態にし、融解完了後に単結晶１１を育成する際、各断熱板１２をスライド移動により退避させた状態にする構成である。 （もっと読む）

【課題】使用する不活性ガスの流量を削減しつつ、覗き窓の窓板の曇りを抑制してその窓板の交換頻度を低減し、製造コストを低減できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液６を収容するルツボ９、１０及び原料融液６を加熱するヒータ１１を格納するメインチャンバ５と、メインチャンバ５の上部に連設され、育成した単結晶８が引き上げられて収容されるプルチャンバ７と、プルチャンバ７に設けられるガス導入口１６と、メインチャンバ５のトップ部２２に設けられる単結晶８を観察するための覗き窓１９と、覗き窓１９を塞ぐ窓板２３と、メインチャンバ５の天井部から下方に延設される窓孔２０を有した整流筒３とを有し、単結晶８を観察する際に覗き窓１９からの視界を遮らないように覗き窓１９と整流筒３の窓孔２０との間に配置された覗き窓１９の窓板２３の曇りを防止するためのじゃま板２を具備する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が０．０２Ωｃｍ以下であるシリコン単結晶をＣＺ法で育成するに際し、直胴部への移行に伴い転位の発生を防止し、同時に、直胴部の上端部分の張り出しをなくすことができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】ショルダー部９ｂおよび直胴部９ｃの育成において、育成中のショルダー部９ｂの直径が直胴部９ｃの目標直径Ｄの８０％になってから、直胴部９ｃの育成に移行し、育成された直胴部９ｃの軸方向長さが直胴部９ｃの目標長さＬの１０％になるまでの時間経過を特定期間ｔとし、この特定期間ｔにおける引き上げ速度を直胴部９ｃの目標引き上げ速度を超え、且つ、１．４ｍｍ／分以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】精度良く種結晶を溶融して結晶育成工程に移行し、結晶育成開始時の単結晶の直径の正確さを向上し、また、種結晶を再利用して、種結晶の交換作業の手間と時間を低減し、単結晶の製造の生産性を向上させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する方法において、種結晶の先端部の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、種結晶を溶融させ、検出した種結晶の直径が結晶育成工程に移行可能な直径になったときに、結晶育成工程に移行し、その後、単結晶の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、単結晶を育成し、検出した単結晶の直径が単結晶棒の引き上げに必要な直径未満の場合には、切り離し工程に移行し、単結晶の先端が尖った形状となるようにして、単結晶をシリコン融液から切り離し、シリコン融液の温度を調整した後、切り離した単結晶を新たな種結晶として、再度、単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱炉を用いた溶融固化法により単結晶を成長させる際に、種付け（シーディング）後の結晶径の急成長を抑制して高品質な酸化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱炉を用い、その炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融し、所定の結晶方位に切り出した種結晶１を原料融液表面に接触させ、所定の速度で上方に引き上げて単結晶を成長させる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、単結晶用原料が加熱溶融した後、種結晶１を下降させて融液表面の上方１０ｍｍ以内の位置に保持し、種結晶１の先端が融解するのを確認してから、種結晶１の融解温度よりも１〜４℃低い温度を種付け温度として、種結晶１を原料融液表面に接触させる。さらに、単結晶を引き上げる際に、固液界面の結晶が融液に向かって凸部３を形成するように、結晶周辺部からの放熱を抑制しながら原料融液を加熱する。 （もっと読む）