【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】結晶形状の捩れを発生させること無く、且つフラットな成長界面でファセットの発生を抑制し、歪が無い長尺のガーネット結晶を再現性良く育成できる酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炉体内のルツボに単結晶用原料を入れて加熱溶融した後、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を回転させながら引き上げる回転引き上げ法により酸化物単結晶を育成する酸化物単結晶の製造方法において、成長結晶の引き上げは、２０ｒｐｍ以下の初期回転速度（ω_０）で開始し、引き続き、成長結晶の結晶径を増大させ、結晶の界面反転を確認した後、回転速度（ω）を下記式（１）で示される範囲内に低下させて肩部を形成することを特徴とする酸化物単結晶の製造方法。ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）＞ω＞ω_０×（Ｌ／Ｌ_０）^１／４・・・（１）（式中、ωは界面反転後の結晶の回転速度、ω_０は初期回転速度、Ｌ_０は初期融液深さ、Ｌは育成中の融液深さである） （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法により結晶径が２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶８を製造する際に、単結晶製造中の結晶回転数を３〜８（ｒｐｍ）の範囲に定めるものである。 （もっと読む）

【課題】熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、チャンバ１１内においてシリコン融液を支持するルツボ１２と、ルツボ１２内のシリコン融液を加熱するヒータと、ルツボの上方に配置された熱輻射シールド１６と、熱輻射シールド１６の内側に設けられた不活性ガスの整流する略円筒状のパージチューブ１７と、シリコン融液１の液面に映る熱輻射シールド１６の鏡像をパージチューブ越しに撮影するＣＣＤカメラ１８と、熱輻射シールド１６の鏡像の位置からシリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部３１と、シリコン融液の液面レベルと鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部３２とを備え、液面レベル算出部３１は、換算テーブルに基づいて液面レベルを算出する。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。
【解決手段】 下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体１１６を１０〜３０ｒｐｍで回転させつつ降下させて、その下端部を融点より１０〜１００℃高い温度に加熱保持した原料溶融液１０４に浸漬させた後、その浸漬から１２０秒以内に種結晶体１１６を上昇させて原料溶融液１０４と非接触状態にする操作を繰り返す。これにより、種結晶体１１６の下端部を平坦形状に再生させることができる。その後、下端部を平坦形状になった種結晶体を用いて単結晶体の育成を開始する。 （もっと読む）

【課題】水素添加した場合のシリコンサブストレートウェハのボイドから発生するエピタキシャル層欠陥を抑制・防止する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により、水素、および窒素をシリコン融液に添加し、窒素濃度が３×１０^１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上３×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコン結晶を引き上げる工程と、シリコン結晶を加工してシリコンサブストレートを作製し、シリコンサブストレートの表面にエピタキシャル層を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化アルミニウムの融液からサファイア単結晶を成長させる際に、サファイア単結晶の尾部における凸状部の形成をより精密に抑制する。
【解決手段】肩部２２０は、種結晶２１０側から直胴部２３０側に向けて、徐々にその直径が拡大していく形状を有している。また、直胴部２３０は、上方から下方に向けてその直径Ｄがほぼ同じとなるような形状を有している。なお、直胴部２３０の直径Ｄは、所望とするサファイア単結晶のウエハの直径よりもわずかに大きな値に設定される。そして、尾部２４０は、上方から下方に向けて徐々にその直径が縮小していくことにより、上方から下方に向けて、尾部が凸状となる形状を有している。そして、尾部２４０の長さＨと、直胴部２３０の直径Ｄとの比Ｈ／Ｄを、０．２≦Ｈ／Ｄ≦０．４とする。 （もっと読む）

【課題】径方向全域にわたりＯＳＦ（酸化誘起積層欠陥）およびｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥のない無欠陥領域の単結晶を歩留り良く安定して育成することができるシリコン単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】育成中の単結晶８を囲繞する水冷体１１を配置するとともに、水冷体１１の外周面および下端面を包囲する熱遮蔽体１０を配置し、熱遮蔽体１０の下端と原料融液９の液面との間に流通させる不活性ガスの流速を０．６６ｍ／ｓｅｃ以下に制御しつつ、単結晶８の温度が融点から１３００℃までの範囲にて、引き上げ軸方向の温度勾配を単結晶中心部ではＧｃ、外周部ではＧｅとするとき、Ｇｃ／Ｇｅ＞１を満足する条件で引き上げを行う。これにより、径方向全域で無欠陥領域となる引き上げ速度の許容範囲が拡大し、径方向全域にわたり無欠陥領域となる単結晶８を歩留り良く安定して育成することが可能なる。 （もっと読む）

【課題】抵抗率のバラツキが小さく、かつ、ＩＧＢＴ製造プロセスを経ても酸素析出物の発生が極めて少ないウェーハの製造が可能とする。
【解決手段】チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を育成することにより得られるＩＧＢＴ用シリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、磁場強度2000ガウス以上とし、石英ルツボ回転数 １．５ｒｐｍ以下、結晶回転数７．０ｒｐｍ以下とし、シリコン単結晶の引き上げ速度を転位クラスタ欠陥フリーなシリコン単結晶が引き上げ可能な速度で、格子間酸素濃度が６×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上げ中に単結晶が変形した場合でも、晶癖線の有無、つまり単結晶の有転位化の発生の有無を確実に検出することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１１と、覗き窓１２と、引上げ機構１３と、覗き窓１２から引上中の単結晶２１と融液２２の表面との界面に現れるメニスカスリング２３を撮像するための撮像手段１４と、撮像手段１４により撮像したメニスカスリング２３の形状を抽出する抽出手段１５と、メニスカスリング２３の形状の中心座標を求め、半径を周方向に求める演算手段１６と、周方向の半径を微分処理し変化率を求め、予め設定した値と比較する比較手段１７と、変化率が設定値に比べて大きい時に外部に制御信号を発生させる制御通信手段１８と、単結晶２１の回転数に比例した回転信号と制御信号との周期を比較し、同期が合わない時に有転位化を自動で通知する通知手段１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化膜耐圧特性に優れ、Ｃモード特性の高いシリコン結晶で構成されるシリコンウエハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素及び水素を含有するシリコンウエハであって、泡状のボイド集合体を構成する複数のボイドが、総ボイド数の５０％以上存在し、ボイド密度が２×１０^４／ｃｍ^３を超えて１×１０^５／ｃｍ^３未満であるＶ１領域が、前記シリコンウエハの総面積中２０％以下を占め、ボイド密度が５×１０^２〜２×１０^４／ｃｍ^３であるＶ２領域が、前記シリコンウエハの総面積中８０％以上を占め、並びに、内部微小欠陥密度が５×１０^８／ｃｍ^３以上であるシリコンウエハ。特に、窒素に加えて水素もドープし、且つ上記の「急冷」処理を施すことによって、ボイドが主に八面体状でなく泡状となり、さらにボイド密度を従来に比して有意に小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶のネックからショルダにおける結晶前半の単結晶化率を向上できるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ条件の設定方法及び引上げ条件の設定方法を備えるチョクラルスキー法による単結晶シリコンの引上げ装置を提供する。
【解決手段】容器１１と、粉末が浮遊した試験用液体１０の表面上に表面張力により浮遊される円盤１３とをそれぞれ独立して回転させた状態で、容器１１の外部から試験用液体１０に対して水平方向に光源１４から光線を照射し、試験用液体１０の表面の映像を上方から光学計測装置１５で観察し、試験用液体１０の表面に発生する楕円形の境界層１７を記録、解析し、解析したデータから経時的に変化する楕円形の境界層１７の直径の最大値および最小値からなるパラメータΔが０．２３以下の範囲となるときの容器１１の回転数、円盤１３の回転数、及び容器１１の底面内壁形状を特定する。 （もっと読む）

【課題】結晶引上中の液面位置を正確に検出することによって、シリコン融液の融液面の位置を正確に制御し、所望の結晶特性を備えた高品質なシリコン単結晶を製造することが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶１５の育成にあたって、所望の無欠陥領域が得られるようにＶ／Ｇを高精度に制御するためには、一定の引上速度で引上げを行うことが重要である。本発明のシリコン単結晶引上方法では、Ｖ／Ｇを高精度に制御するために、シリコン単結晶１５の引上（育成）中に継続してシリコン融液１３の融液面１３ａと、この融液面１３ａに対面してその一部を覆うように配された遮熱部材１７との間隔Δｔの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】精度良く種結晶を溶融して結晶育成工程に移行し、結晶育成開始時の単結晶の直径の正確さを向上し、また、種結晶を再利用して、種結晶の交換作業の手間と時間を低減し、単結晶の製造の生産性を向上させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する方法において、種結晶の先端部の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、種結晶を溶融させ、検出した種結晶の直径が結晶育成工程に移行可能な直径になったときに、結晶育成工程に移行し、その後、単結晶の直径をＣＣＤカメラで検出しつつ、単結晶を育成し、検出した単結晶の直径が単結晶棒の引き上げに必要な直径未満の場合には、切り離し工程に移行し、単結晶の先端が尖った形状となるようにして、単結晶をシリコン融液から切り離し、シリコン融液の温度を調整した後、切り離した単結晶を新たな種結晶として、再度、単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）

【課題】引き上げバッチごとのバラツキ防止に有効な結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による結晶体製造方法において、初期チャージ重量と石英ルツボ形状データとに応じて演算された石英ルツボに充填された初期のメルト深さである初期メルト深さと、メルトセンサでメルト表面の位置の変化量を測定した液位変化量と、ルツボ軸の動いた距離であるルツボ上昇高さとを用いて、ルツボ内のメルト深さを算出する工程を有し、前記石英ルツボ形状データは、標準ルツボと使用ルツボの重量差（ΔＷ）に基づいて、両者の肉厚差（Δｔ）を概算し、この肉厚差（Δｔ）分だけルツボの形状データ（Ｐ［ｎ］）をシフトして、補正データ（Ｐ’［ｎ］）を作成する。そして、この作成した補正データ（Ｐ’［ｎ］）を使用して結晶体の引き上げを行う。 （もっと読む）

【課題】無転位化の成功率を向上し、また、種結晶付近の最小直径が単結晶棒の引き上げに可能な直径よりも細くなることを防止して、大直径化して高重量の単結晶棒の生産性を改善させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により、シリコン単結晶を製造する方法において、融液表面温度を光学式温度計で測定し、測定した温度に基づいて、融液表面温度を制御しつつ、種結晶を下降させるか、またはシリコン融液面を上昇させて、種結晶の先端部をシリコン融液に接触させた後、種結晶を溶融させ、種結晶溶融工程中における種結晶がシリコン融液から切り離され、再度、シリコン融液に接触する回数を検出し、検出した回数に応じて融液表面温度を補正し、補正した融液表面温度において、種結晶を溶融させた後、その後、ネッキングを行うことなく、結晶育成工程を行って単結晶棒を引き上げる方法である。 （もっと読む）