【課題】β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＦＧ（Edge-defined film-fed growth）法によるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶２０の引き上げ方向に対するβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第１ステップと、第１ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶２５が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶２０の引き上げ速度を制御して、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶を成長させる第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセスにおいて、電気特性を阻害しないシリコン単結晶ウエーハを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により石英ルツボ１２ｂ中のシリコン融液から引き上げられ、炭素がドープされたシリコン単結晶から製造されたシリコン単結晶ウエーハであって、炭素濃度の面内分布の最大値（Ｃｍａｘ）と最小値（Ｃｍｉｎ）の比（Ｃｍａｘ／Ｃｍｉｎ）が１．００以上１．０７以下であり、炭素濃度が１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下の範囲内のものである。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法によりｃ軸サファイア単結晶を引き上げる際に、該単結晶の肩部及び直胴上部に泡群が生じない製造方法を提供する。
【解決手段】 直胴部直径Ｄのｃ軸サファイア単結晶の製造方法において、拡径部（肩部）の形成時における拡径部結晶直径をｄ［ｍｍ］、結晶引き上げ速度をＬ［ｍｍ／ｈ］、拡径部半径増加速度をφ_ｒ［ｍｍ／ｈ］としたとき、０．６≦ｄ／Ｄ＜１．０にある間は、φ_ｒ＜７．０ｍｍ／ｈ、かつＬ^３×φ_ｒが５５以下の範囲を維持するよう、結晶引き上げ速度及び拡径部半径増加速度を調整し、結晶直径Ｄに到達後は、所望の直胴長の単結晶体を継続して引き上げることにより、ｃ軸方位のサファイア単結晶体を得る。該製造方法により得られるサファイア単結晶体の肩部及び直胴上部には泡群が形成される確立が極めて低く、該サファイア単結晶体からのＬＥＤ用サファイア単結晶基板の取得率を向上させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶インゴット成長時の温度制御を良好に行って結晶品質のバラツキを抑制し、高品質の単結晶インゴットを生産性良く成長させることができるヒーター出力制御方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする
【解決手段】予め、基準とした単結晶製造装置における前記絞り部形成時の成長速度と前記コーン部形成時間の間の相関式を求め、他の単結晶製造装置で単結晶インゴットを成長させる際に、絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間を測定し、該測定した絞り部形成時の成長速度とコーン部形成時間から、前記相関式を基に制御信号を補正して、該補正した制御信号によって、当該他の単結晶製造装置の前記ヒーターの出力を制御するヒーター出力制御方法。 （もっと読む）

【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりｖ／Ｇ値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が１．２×１０^１８個／ｃｍ^３以上１．８×１０^１８個／ｃｍ^３以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第１の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、１３００℃以上１３８０℃以下の第２の最高到達温度の範囲内で１秒以上１５秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル欠陥がテイル部付近の直胴部で発生することを防止できる窒素ドープエピウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法にて窒素ドープしたシリコン単結晶を引き上げる際に、引上速度Ｖ［ｍｍ／ｍｉｎ］と、融点〜１３５０℃までの結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇ［℃／ｍｍ］との比をＶ／Ｇ［ｍｍ^２／℃ｍｉｎ］≧０．２５に設定し、かつ、８００〜７５０℃の温度領域の冷却速度Ｃｖ≧１．７℃／ｍｉｎとする。 （もっと読む）

【課題】アニール後の残留ボイド、およびアニールウエハに形成した酸化膜のＴＤＤＢ特性劣化を回避し、シリコン単結晶に含有可能な窒素濃度範囲を拡張することが可能となるアニールウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】アニールウエハの製造方法では、結晶引上速度Ｖと結晶成長軸方向の平均温度勾配Ｇとの比であるＶ／Ｇについて、Ｖ／Ｇが０．９×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以上２．５×（Ｖ／Ｇ）_ｃｒｉｔ以下となるように制御するとともに、結晶引上炉内の水素分圧を３Ｐａ以上４０Ｐａ未満とする。シリコン単結晶は、窒素濃度が５×１０^１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３超え６×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、炭素濃度が１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上９×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であり、不純物濃度が５ｐｐｍａ以下の希ガス雰囲気もしくは非酸化性雰囲気中において熱処理する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）によりテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ（直胴部）まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを４５°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径（ｄ）に対して１．３倍以下の内径（Ｄ）を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 （もっと読む）

【課題】ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】育成されるネック部の径を測定するネック径測定手段と、前記ネック径測定手段から得られたネック部の測定値と、記憶手段に予め記憶したネック部径の狙い値との差分に基づき、種結晶の補正された第一の引上速度を出力する第一の引上速度補正手段２１，２２と、前記第一の引上速度の上限を第一の制限値に制限した、第二の引上速度を出力する第二の引上速度補正手段２３と、少なくとも前記引上速度の上限が前記第一の制限値に制限されている間、ルツボの回転数を低下させるルツボ回転数補正手段２４，２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬Ｘ線やγ線等の高エネルギーの光子を高感度で検出することができるシンチレーターを提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｎｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素を含有するフッ化ルテチウムからなることを特徴とするフッ化物単結晶、該フッ化物単結晶からなることを特徴とするシンチレーターであって、該フッ化物単結晶は、例えば、少なくともフッ化ルテチウムとアルカリ金属フッ化物とを混合してなる原料混合物にＮｄ、Ｅｒ及びＴｍから選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物を添加し、溶融して原料融液とし、該原料融液より引上げ法を用いてフッ化物単結晶を成長せしめる際に、成長速度を下式で表わされるｖ_ｍａｘ以下として得る。
ｖ_ｍａｘ＝α・Ｒ^１／２／ｄ^１／３
（ただし、αは０．００６２であり、Ｒは原料融液に対する単結晶の回転数（ｒｐｍ）を表わし、ｄは単結晶の平均直径（ｍｍ）を表わす。） （もっと読む）

【課題】変形及び転位が抑制され、且つテール部が省略されたシリコン単結晶を製造し得る、シリコン単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造方法は、磁場中心Ｌ２における磁束密度が１０００ガウス以上２０００ガウス以下である水平磁場を印加しつつシリコン単結晶２の直胴部４を成長させた後、融液３２の液面に対するシリコン単結晶の相対的な引上げ速度を０ｍｍ／分にし、その後、シリコン単結晶の見かけの重量が減少するまで、その停止状態を維持し、さらに停止状態を維持して、融液に接するシリコン単結晶の成長面全体をシリコン単結晶の引上げ方向と反対方向に凸形状にした後、融液から単結晶を切り離す。 （もっと読む）

【課題】抵抗率調整用のドーパントとしてＳｂまたはＡｓを用いる場合に、テイル部で有転位化の発生を効果的に抑制し、歩留まりよく低抵抗単結晶を育成できる育成方法を提供する。
【解決手段】育成中のシリコン単結晶９を囲繞する熱遮蔽体１１がチャンバ１内に設けられた単結晶育成装置を用い、ドーパントとしてＳｂまたはＡｓを添加した原料シリコン融液６をチャンバ１内のルツボ２に貯溜し、チャンバ１内に不活性ガスを導入しながらチャンバ１内を減圧した状態で、ルツボ２内の原料シリコン融液６から抵抗率が０．０２Ωｃｍ以下のシリコン単結晶９をＣＺ法により引き上げ育成する方法であって、直胴部９ｃに続いてテイル部９ｄを育成する際に、チャンバ１内の圧力を直胴部９ｃの育成終了時よりも低下させる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法による無欠陥シリコン単結晶の製造方法において、双晶欠陥が抑制された良質なシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＺ法によってチャンバ内でシリコン単結晶をシリコン融液から引上げて製造する方法において、双晶欠陥のない無欠陥結晶を得るために、前記シリコン単結晶の引き上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比のＶ／Ｇ値を、格子間シリコンの凝集体として形成される転位クラスター領域と格子間シリコン優勢の無欠陥領域の境界Ｖ／Ｇ値より０．２〜０．５％大きい範囲で、かつ、ＯＳＦ領域が出現するＶ／Ｇ値よりも小さい範囲内で制御し、前記シリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の発生を低減できる単結晶の製造方法、および単結晶から結晶欠陥が発生した部位を効率よく検知して除去することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる過程において、検出される単結晶の直径と引き上げ速度の目標値に基づき、引き上げ速度の操作を制限するスパンおよびヒータ温度の設定値を演算し、引き上げ速度をスパン内で操作するとともに、ヒータ温度を設定値に操作して単結晶の直径を制御する際に、引き上げ速度の実績値から算出される移動平均の揺らぎを制御することを特徴とする単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。
【解決手段】 下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体１１６を１０〜３０ｒｐｍで回転させつつ降下させて、その下端部を融点より１０〜１００℃高い温度に加熱保持した原料溶融液１０４に浸漬させた後、その浸漬から１２０秒以内に種結晶体１１６を上昇させて原料溶融液１０４と非接触状態にする操作を繰り返す。これにより、種結晶体１１６の下端部を平坦形状に再生させることができる。その後、下端部を平坦形状になった種結晶体を用いて単結晶体の育成を開始する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶を得ることができる単結晶の製造方法、およびそれにより製造された単結晶を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる前に引き上げ長に対する引き上げ速度の目標値を設定し、引き上げる過程において、引き上げ速度の目標値および検出される単結晶の直径に応じ、引き上げ速度およびヒータ温度を操作することにより、単結晶の直径を制御する直径方式と（Ｓ６）、引き上げ速度を操作する際の上下限値を引き上げ速度の目標値に基づいて設定するとともに（Ｓ２）、引き上げ速度の目標値を速度の上下限値に基づいて修正することにより（Ｓ３）、引き上げ速度の移動平均を制御する移動平均方式を用いて単結晶を製造する方法であって、引き上げ速度の目標値から算出される移動平均、および引き上げ速度の実績から算出される移動平均に応じ、移動平均方式を有効または無効とする（Ｓ１）。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、短時間で製造することができ、さらに、ゲッタリングサイトを容易かつ短時間に形成できるとともに、内部応力に起因した転位の発生を有効に抑制できるシリコンウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】高速引上げ工程と、ウェーハ作製工程と、シリコンウェーハ１０の表面１０ａから所定の深さ位置Ａに対して、長波長である第１レーザー光線２０及び短波長である第２レーザー光線３０を照射するレーザー照射工程（図２(ｃ)）とを具え前記第１レーザー光線２０は、前記ウェーハ１０の所定の深さ位置Ａに集光し、重金属を捕獲するための加工変質層１１を形成し、前記第２レーザー光線は、前記ウェーハの表面１０ａ近傍（表層部分１０ｂ）に集光し、該集光部分を溶融させた後、再結晶化させることを特徴とする。 （もっと読む）