説明

コバレントマテリアル株式会社により出願された特許

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【課題】肝細胞を均一なサイズに凝集化させ、その性質を保持しつつ培養することができ、かつ、凝集化させた細胞塊(スフェロイド)に薬剤を効率よく供給することができる細胞培養担体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面に複数のウェルが形成されており、少なくとも前記ウェルの底面が、比表面積が0.0001〜1m2/gであり、平均粒径が0.1〜2μm、かつ、最大粒径が5μm以下のアルミナ粒子により構成されている肝細胞培養用の細胞培養担体を用いる。 (もっと読む)


【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難いシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子の間の空間もしくは溶融シリカ粒子の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞されている。 (もっと読む)


【課題】投入されるポリシリコン塊による、ルツボの内表面に欠け、割れの損傷を抑制すると共に、ルツボの内表面に凹みの損傷を受けた場合にも、シリコン等の溶融熱によってシリカガラスに変化する際に、前記凹みの損傷を修復することができるシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された外層1aと、前記外層の内周面に、合成シリカ球状フィラーを含有する内層用コーティング液を塗布し、焼成して形成された内層1bとを備え、圧子(形状:コーン状ポリシリコン)に荷重を加え、内層表面の圧痕幅、圧痕深さに基づいて、硬さ(kg重/mm)=荷重を加え続けた際の解放点から求められる軸力(破壊力)(kg重)/圧痕面積(mm)から求められる前記内層の硬さが、700kg重/mm以下である。 (もっと読む)


【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難く、かつシリカガラスルツボとなした際、内層の気泡を抑制したシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】外層が、溶融シリカ粒子を堆積させて成形し、焼成された層であり、内層が、前記外層の内周面に、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末を含有する内層用コーティング液によるコーティング層が形成され、前記コーティング層を焼成して形成された層であり、前記内層は、球状のシリカ粒子が相互に連結されると共に、球状のシリカ粒子の間に空間が存在している。 (もっと読む)


【課題】高強度で、多結晶セラミックス基材の変形が少なく、半導体や液晶の製造装置用部材として使用されてもコンタミネーションの発生が少ない多結晶セラミックス接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Yを主体相として含む第1の多結晶セラミックス基材と、AlまたはYを主体相として含む第2の多結晶セラミックス基材とが、接合層を介して接合された多結晶セラミックス接合体であって、前記接合層は、Y、Al、SiOおよびZrOから選ばれる少なくとも3種類の酸化物を含む複合酸化物からなる多結晶セラミックス接合体。 (もっと読む)


【課題】オフ角を有するSi基板を用いて、反りが小さく結晶性の高い窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】(111)結晶方位面に対して2.0°以上6.0°以下のオフ角を有するSi基板Wと、Si基板W上に形成されAlN単結晶層20a上にAlGa1−xN単結晶層(0<x<1)20bが積層された第一バッファ領域Aと、第一バッファ領域A上に形成され厚さが300nm以上450nm以下のAlGa1−yN単結晶(0≦y<0.1)からなる第1単層30aと厚さが5nm以上20nm以下のAlGa1−zN単結晶(0.9<z≦1)からなる第2単層30bとが交互に複数積層された第二バッファ領域Bと、第二バッファ領域B上に形成された窒化物半導体活性層50と、からなる窒化物半導体基板Z。 (もっと読む)


【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも2相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第3の元素の中から選ばれる1種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第3の元素は、それぞれ酸化物換算で40mol%以上60mol%以下、5mol%以上20mol%以下、35mol%以上50mol%以下であることを特徴とする。
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【課題】Si単結晶を下地基板として用いた場合の、リーク電流低減と電流コラプス改善が、効果的に達成された窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】Si単結晶基板Wの一主面上に窒化物からなる複数のバッファ層Bを介して窒化物半導体の活性層Cが形成されている窒化物半導体基板であって、バッファ層Bは少なくとも活性層Cと接する層50の炭素濃度が1E+18atoms/cm以上1E+20atoms/cm以下であること、バッファ層Bと活性層Cの界面領域80において全転位密度に対するらせん転位密度の比が0.15以上0.3以下であること、さらにバッファ層Bと活性層Cの界面領域80における全転位密度が15E+9cm−2以下である窒化物半導体基板。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素材冶具等の炭化珪素接合体を低コストで製造することができる炭化珪素接合体およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素質焼結体10同士を、接合部20を介して接合した炭化珪素接合体1において、接合部20は、SiO、AlおよびYを含むとともにSiOを主成分として含むSiO−Al−Y系酸化物からなる炭化珪素接合体1。 (もっと読む)


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