【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．５〜２００μｍのＳｉＯ_x膜（０＜ｘ＜２）からなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】ブラウンモールドの発生が抑制され、かつ、シリコン単結晶におけるエアポケットの発生も抑制し、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用シリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】直胴部及び底部を有するシリカガラスルツボにおいて、厚さ０．０５〜０．５ｍｍのホウケイ酸ガラスからなる最内層と、ＯＨ基濃度が３０ｐｐｍ未満、厚さ３〜５ｍｍの前記最内層に接する領域を有する透明シリカガラスからなる内層と、不透明シリカガラスからなる外層とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン溶融中のシリカガラスルツボ外層から内層へ拡散される汚染を効果的に抑制しつつ、高強度かつ高純度のシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】本発明に係るシリカガラスルツボは、ＯＨ基が０．１ｐｐｍ以上３０ｐｐｍ以下のシリカからなる内層と、前記内層の外側に形成されＯＨ基が２００ｐｐｍ以上５００ｐｐｍ以下のシリカからなる中間層と、前記中間層の外側に形成されシリカガラスまたは無機材料からなる外層と、から構成されている。より好ましくは、中間層が、酸素欠乏型欠陥の濃度が１×１０^１４atoms/cm^３以上１×１０^１８atoms/cm^３以下である。 （もっと読む）

【課題】吸着方法を改善することにより、特定の環境下で使用が可能で、固定用の土台との着脱が容易な静電チャックを提供する。
【解決手段】板状の絶縁材料の中に導電性材料からなる吸着用電極が埋設されている静電チャックであって、前記吸着用電極が、前記板状の絶縁材料の表面側と裏面側の双方に、それぞれ独立して形成されており、好ましくは、前記表面側の吸着用電極は双極型構造、前記裏面側の吸着用電極は単極型構造であること、さらに好ましくは、前記静電チャック裏面の主面方向に対して、前記裏面中心から前記裏面外周に向かって、前記静電チャック裏面の主面全面積の５％以上４０％以下を占める範囲内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】直径１２インチ以上の半導体デバイス用シリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットの引上げ中に、シリコン原料融液を保持する石英ルツボの使用時間が予め設定された耐用時間を経過し、かつ、その時点で引上げ中のシリコン単結晶が有転位化している場合であっても、該シリコン単結晶インゴットにおけるクラックや割れの発生を抑制することができ、石英ルツボ内に残存したシリコン原料融液を半導体デバイス用に、安全かつ効率的に再利用する方法を提供する。
【解決手段】直胴部の最大直径が２１０〜２６０ｍｍの第２のシリコン単結晶インゴットＩｇ２の引上げに変更して、石英ルツボ１４ａに残存しているシリコン原料融液を第２のシリコン単結晶インゴットＩｇ２として回収し、直径８インチ以下のシリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットとして、又は、シリコンウェーハを製造するためのシリコン原料として再利用する。 （もっと読む）

【課題】廃棄物等の燃焼排ガス流路において耐熱性および耐食性に優れて耐久性があり、高効率に熱交換を行える熱交換器を提供する。
【解決手段】この熱交換器１は、後端部が開口すると共に、先端部が閉口したセラミックスからなる伝熱管２と、前記伝熱管の内壁に対して所定の隙間を介して配置されており、前記隙間と連通する金属内管３とを備え、前記伝熱管の先端部が、燃焼排ガスの下流側に傾倒した状態になるよう燃焼排ガス流路内に配置され、前記伝熱管後端部から伝熱管内部に導入された液体が、伝熱管２の内壁と金属内管３とのすき間を通じて伝熱管の先端部まで達し、先端部で金属内管３内部に流入して、前記金属内管３の他端部から外部に導出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】積層するウェーハ数を多くした場合でも、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができ、また、積層したウェーハ相互間の接着を抑制し、剥離性を高めることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハＷの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハＷの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックＷ_Ｂを形成し、該ウェーハブロックＷ_Ｂの最下部のシリコンウェーハＷ_Ｕの平面のみを第１熱処理用部材３２の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックＷ_Ｂを水平保持させると共に、第２熱処理用部材３４により前記水平保持させたウェーハブロックＷ_Ｂの外周囲全体を囲繞させて、１２７０℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉及びそれを用いた半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを複数平行保持させる横型ボート３０と、平行保持させた半導体ウェーハＷへのプロセスガスＰ_Ａの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷの上方領域Ｏ_１の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_１（０は含まず）、半導体ウェーハＷの側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過するプロセスガスＰ_Ａのガス流速をＳＯ_２（０は含まず）としたときに、ＳＯ_１＜ＳＯ_２の関係を満たすように、側方領域Ｏ_２の外周部近傍を通過する前のプロセスガスＰ_Ａを整流するプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】転位発生の防止と基板の反り低減を、中間層を構成する窒化物半導体層の積層数を少なくして実現できる窒化ガリウム系化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】Ｓｉ単結晶からなる基板１と、前記基板上に形成された窒化物半導体からなる中間層２と、前記中間層上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体３からなる活性層で構成される窒化ガリウム系化合物半導体基板であって、前記中間層は、前記基板上に第一層２１と第二層２２がこの順で積層された初期バッファ層２００と、前記初期バッファ層上に第三層２３と第四層２４をこの順で複数回繰り返し積層し最後に第五層２５を積層してなる複合層２０２を複数積層した周期堆積層２０３からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料あるいは太陽電池材料等の単結晶あるいは多結晶を製造する装置において溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる炭素ルツボであって、石英ガラスルツボを支持し変形を防止できるとともに、冷却後に石英ガラスルツボを容易に取り外すことができる炭素ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ底部を構成する架台部２と、架台部２に載置または嵌挿される筒状体３とを備えた炭素ルツボ１であって、架台部２が黒鉛材からなり、筒状体３は炭素繊維織布４が積層された炭素繊維強化炭素複合材からなり、筒状体３の一端部から他の一端部にかけて不連続部Ｆが設けられており、不連続部Ｆにおいて筒状体３の軸線に垂直な方向の少なくとも一部に炭素繊維強化複合材が存在し、かつ筒状体３の周方向に拘束力を発揮する構造を有する。 （もっと読む）