【課題】イットリアを主成分とする皮膜で被覆された部材であって、主に、半導体や液晶製造用等のプラズマ処理装置部材として用いることができ、緻密で表面が滑らかであり、プラズマ処理時にパーティクルや金属不純物の発生によって被処理品を汚染することがなく、かつ、強度及び耐久性に優れた耐食性部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス又は金属からなる基材の少なくともプラズマ又は腐食性ガスに曝される部位の表面に、少なくとも１層の耐食膜が形成された耐食性部材において、前記耐食膜が、イットリアを主成分とし、タンタル又はニオブの少なくともいずれか１種を前記イットリアに対して五酸化物換算で０．０２〜１０ｍｏｌ％含有し、かつ、未溶融部が存在しないものとする。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成面内に、透明導電膜が形成されていない非形成部を設け、この非形成部によって透明導電膜形成面の抵抗を部分的に変化させ、面内の温度分布を制御する面状ヒータを提供する。
【解決手段】面状ヒータ１は、透明基板２の少なくとも１表面に透明導電膜３を形成し、前記透明基板３の両端に電圧印加用の金属電極４を配した面状ヒータにおいて、透明導電膜３が形成された透明導電膜３の形成面内に、前記透明導電膜が形成されていない非形成部３ａが複数形成され、これにより透明導電膜の見かけ抵抗を上昇させ、電流の流れと発生するジュール熱とを制御することで面内温度分布を制御する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなる第１の層３Ａと、第１の層３Ａの上に形成されたシリカからなる第２の層３Ｂとにより構成し、かつ、第２の層３Ｂは、鋳型内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部よりも上部にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】色度バラツキがなく、安定的に発光する白色又は有色ＬＥＤを得るために、青色光を均一に波長変換することができ、発光分布のバラツキが抑制されたセラミックス複合体を提供する。
【解決手段】セラミックス複合体を、Ａｌ₂Ｏ₃で構成されるマトリックス相２と、前記マトリックス相２内に形成され、一般式Ａ₃Ｂ₅Ｏ₁₂：Ｃｅ（ＡはＹ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｙｂ及びＬｕのうちから選ばれる少なくとも１種であり、ＢはＡｌ、Ｇａ及びＳｃのうちから選ばれる少なくとも１種である。）で表される物質で構成される主蛍光体相３と、前記マトリックス相２及び前記主蛍光体相３中に混在しているＣｅＡｌ₁₁Ｏ₁₈相４とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、鋳型１内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部及びそれよりも上部３Ａが、イミド熱分解法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなり、シリコン融液面４ａとの接触部よりも下部３Ｂが、直接窒化法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像素子を製造するために適用した場合、製造後の固体撮像素子に終点検出部が残存せず、半導体素子部への拡散等の問題もなく、高精度の薄膜化を実現することが可能な固体撮像素子用半導体基板を提供する。
【解決手段】 素子部形成領域となる表面側の表層部を残す裏面側からのバック加工が適用される固体撮像素子用半導体基板であって、
前記素子部形成領域となる表面側の表層部と、この表層部より裏面側方向内部に形成され、ＢＭＤ密度が１×１０¹⁰／ｃｍ³以上１×１０¹²／ｃｍ³以下の前記バック加工が適用される第１のバルク層と、この第１のバルク層より裏面側方向内部に形成され、前記第１のバルク層よりＢＭＤ密度が低く、その密度が１×１０⁹／ｃｍ³以上１×１０¹⁰／ｃｍ³以下の前記バック加工が適用される第２のバルク層とを備えることを特徴とする固体撮像素子用半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ルツボの構成材料に含まれるアルカリ金属によってルツボ内のシリコン融液が汚染されるのを防止することができ、しかも、シリコン融液の保持のための十分な強度を備えており、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ内層が合成石英ガラスからなり、ルツボ外層が２〜１０ｐｐｍの添加Ａｌが固溶した天然石英ガラスからなる石英ガラスルツボを構成する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層全体の膜厚を抑制しつつ、半導体素子の高い性能と信頼性を両立することのできる化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の基板１２と、基板上に形成される化合物半導体の第１の半導体層１６と、第１の半導体層上に形成され、第１の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい、化合物半導体の障壁層１８と、障壁層上に形成され、障壁層よりもバンドギャップエネルギーの小さい化合物半導体の第２の半導体層２０と、第２の半導体層上に形成され、第２の半導体層よりもバンドギャップエネルギーの大きい化合物半導体の第３の半導体層２２とを有することを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ効果的に、窒化物半導体の絶縁破壊電圧低下が低減された窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の一主面上に窒化ケイ素層を形成する工程と、前記窒化ケイ素層上に窒化物半導体からなる中間層を形成する工程と、前記中間層上に窒化物半導体からなる活性層を形成する工程と、を含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記窒化ケイ素層を形成する工程は、窒素ガスが９０ｖｏｌ％以上１００ｖｏｌ％以下で残部は前記窒素ガス以外の不活性ガスからなるガス雰囲気にて室温から９００℃以上１０００℃以下の到達温度まで昇温する第１ステップと、前記ガス雰囲気と前記到達温度のままで所定時間保持する第２ステップと、その後還元性ガス含有雰囲気に切り替えて所定時間保持する第３ステップと、からなることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）