【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶を着液させて種付けを行う際のシリコン融液の温度を、簡易な方法でバラツキ無く適正な温度に調節することができるシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶の製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボに多結晶シリコン原料を充填し、ヒータで加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に、該シリコン融液に角柱形状の種結晶を着液して該種結晶の下方に単結晶を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造方法であって、前記着液された種結晶と前記シリコン融液との界面を撮像手段で観察し、該観察した界面の形状を検出して、該検出した界面の形状を基に前記シリコン融液の温度を調節するシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】使用する不活性ガスの流量を削減しつつ、覗き窓の窓板の曇りを抑制してその窓板の交換頻度を低減し、製造コストを低減できる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液６を収容するルツボ９、１０及び原料融液６を加熱するヒータ１１を格納するメインチャンバ５と、メインチャンバ５の上部に連設され、育成した単結晶８が引き上げられて収容されるプルチャンバ７と、プルチャンバ７に設けられるガス導入口１６と、メインチャンバ５のトップ部２２に設けられる単結晶８を観察するための覗き窓１９と、覗き窓１９を塞ぐ窓板２３と、メインチャンバ５の天井部から下方に延設される窓孔２０を有した整流筒３とを有し、単結晶８を観察する際に覗き窓１９からの視界を遮らないように覗き窓１９と整流筒３の窓孔２０との間に配置された覗き窓１９の窓板２３の曇りを防止するためのじゃま板２を具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＣ法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、液体封止剤の直上の温度を規定することにより、固液界面の融液面に対する凹面化と結晶表面の組成比の不良を防ぎ、全域単結晶の生産歩留りを向上することを可能にする。
【解決手段】 ＬＥＣ法における化合物半導体単結晶の製造中に、液体封止剤（三酸化硼素）直上の温度、より好ましくは液体封止剤の直上で且つ単結晶の表面近傍Ａにおける温度を測定し、測定された実際温度が目標とする所定温度範囲、例えば９００℃以上１０００℃以下に入るように規定することにより、固液界面を原料融液側に凸の最適な形状とし、多結晶化を防ぎ、単結晶収率を高める。 （もっと読む）