【課題】マイクロパイプ欠陥、螺旋転位、刃状転位、及び積層欠陥をほとんど含まず、高品質のＳｉＣ単結晶並びにＳｉＣ種結晶を提供すること。
【解決手段】第１成長工程においては、｛１−１００｝面からオフセット角度±２０°以下の面、または｛１１−２０｝面からオフセット角度±２０°以下の面を第１成長面として第１成長結晶を作製し、中間成長工程においては、第（ｎ−１）成長面より４５〜９０°傾き、且つ｛０００１｝面より６０〜９０°傾いた面を第ｎ成長面として第ｎ成長結晶を作製し、最終成長工程においては、第（Ｎ−１）成長結晶の｛０００１｝面よりオフセット角度±２０°以下の面を最終成長面３５として、上記最終成長面３５上に螺旋転位及び刃状転位が低減されたバルク状のＳｉＣ単結晶３０を成長させる。 （もっと読む）