【課題】ハイドライド気相成長法において、リアクタの割れを抑制し、高品質な単結晶体を得ることが可能な単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】原料ガス５の供給方向と対向した下面に第１の開口２ａと、上面に前記第１の開口２ａよりも小さい第２の開口２ｂと、内壁面に種基板４を設置するための斜面２ｃと、を有し、前記第２の開口２ｂから前記第１の開口２ａに向かって先細りとなる錐台形状を示す貫通孔３を具備するサセプタ１に対して、前記第１の開口２ａから前記原料ガス５を前記種基板４に供給し、前記種基板４を通過した前記原料ガス５を、前記第２の開口２ｂから前記サセプタ１の外に放出させる。これにより、サセプタ１の外周に設けられたリアクタ７に原料ガス５が流れることが抑制されるため、リアクタ７の割れが低減し、結果として長時間の単結晶体成長が可能となるので、バルク状の高品質な単結晶体が得られる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

本発明は、前駆体蒸気（１０１）が少なくとも１つの供給管路（１４１、１４２）に沿って堆積反応炉の反応室（１１０）に導かれ、反応室内に前駆体蒸気の鉛直流を作り出してこれを鉛直に配置された１回分の基板（１７０）間に鉛直方向に入り込ませることによって、鉛直に配置された基板（１７０）の表面に材料が堆積される方法および装置に関する。 （もっと読む）

【課題】所望の主面を有する板状の窒化物半導体結晶を簡便な方法で効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１０９上の結晶成長面を成長方向に投影した投影面の長手方向の長さＬと最大幅Ｗの比（Ｌ／Ｗ）が２〜４００であって、最大幅Ｗが５ｍｍ以下である種結晶１０９に対して、原料ガスを供給することによって種結晶１０９上に板状の窒化物半導体結晶を成長させる。種結晶１０９の結晶成長面は、＋Ｃ面、｛１０−１Ｘ｝面および｛１１−２Ｙ｝面からなる群より選択される１以上の面である。 （もっと読む）

【課題】処理表面の欠陥が少なく、かつ、均一な処理を行なうことが可能な気相処理装置および気相処理方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った気相処理装置１は、反応ガスを流通させる処理室４と、ガス導入部（ガス供給口１３）と、整流板２０とを備える。ガス導入部は、処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向（矢印１１、１２に示す方向）に沿って複数形成されている。整流板２０は、処理室４の内部においてガス導入部を覆うように形成される。整流板２０は、ガス導入部から処理室の内部に供給されるパージガスを、反応ガスの流れる方向に沿った方向に流れるように案内する。整流板２０は、ガス導入部が形成された処理室４の上壁６において、反応ガスの流れる方向に対して交差する方向である幅方向に延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの周縁部まで均一に成膜することが可能な熱ＣＶＤ方法および熱ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ方法において、ウェーハｗ上に成膜を行うための反応室１１内を、所定の圧力に制御し、所定の圧力に制御された反応室１１に、上部より反応ガスを導入し、反応ガスをシャワーヘッド１７において断熱膨張させることにより、反応ガスのガス流を加速させ、回転させながら加熱したウェーハｗ上に、加速された反応ガスのガス流を供給して、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｇａの収率を向上することができるＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法およびその方法により得られるＧａＮ結晶を提供する。
【解決手段】基板６を設置するためのサセプタ７の一主面２と、サセプタ７の一主面２と間隔をあけて対向している対向面３と、サセプタ７の一主面２と対抗面３との間の空間を仕切る側面４と、で取り囲まれた成長室１にアンモニアガスを導入するとともにＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８からＩＩＩ族塩化物ガスを導入することによってサセプタ７の一主面２上に設置された基板６上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる際に、サセプタ７の一主面２の面積をＳｃｍ²とし、サセプタ７の一主面２とＩＩＩ族塩化物ガスの噴出口８との距離をＬｃｍとし、成長室１に導入されるガスの標準状態での総量をＶｃｍ³／ｓとしたとき、Ｓ／Ｌ／Ｖの値を０．１ｓ／ｃｍ²以上としてＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、ＩＩＩ−Ｖ族及びＶＩ族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。 （もっと読む）