【課題】種原子層が成膜されていない基板上に、種原子を含まないウィスカ集合体を直接成長させることを可能としたウィスカ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】被形成基板の対面に種基板を配置し、シリコンを含むガスを導入し減圧化学気相成長を行う。被形成基板は、減圧化学気相成長を行う時の温度に耐えられる物であれば、種類を問わない。種原子を含まないシリコンウィスカ集合体を、被形成基板上に接して、直接成長させることができる。更に、形成されたウィスカ集合体の表面形状特性を利用することで、ウィスカ集合体が形成された基板を太陽電池や、リチウムイオン二次電池等へ応用することができる。 （もっと読む）

【課題】１ミクロンより小さい、好適には１０ｎｍより小さい（チヤネルまたは細孔）幅と、ミクロン範囲またはそれより長い長さとを有する、埋め込まれたナノチヤネル（またはナノ細孔）を含むナノチヤネルデバイスを提供する。
【解決手段】単結晶基板１を含むデバイスであって、単結晶基板１は、単結晶基板１の所定の結晶面を露出させる少なくとも１つのリセス領域４を有し、少なくとも１つのリセス領域４は、更に、リセス幅を有し、および充填材料５と埋め込まれたナノチャネル６とを含み、埋め込まれたナノチャネル６の幅、形状、および深さは、少なくとも１つのリセス領域４のリセス幅と、露出した所定の結晶面に対して垂直な方向における充填材料の成長表面の成長速度により決定されるナノチヤネルデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置を提供する。
【解決手段】基板(1)上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。また、前記方法は、それぞれの前駆物質からの前記核種が前記領域に順次に、個々に供給されてもよく、前記核種を基板の相対移動により前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域を移動させてもよい。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 ハイドライド気相成長装置1は、基板Ｓを保持する基板保持部材１２と、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、ＡｌＣｌ_３ガスを供給する供給口１７１を有する第一供給部１７と、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、ＮＨ_３ガスを供給する供給口１５１を有する第二供給部１５と、第一供給部１７と第二供給部１５との間に設けられ、ＧａＣｌガスを、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対して供給する第三供給部１６と、を有する。ＡｌＣｌ_３ガスを供給する供給口１７１は、ＮＨ_３ガスを供給する供給口１５１よりも、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、上流側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制することができる技術を提供すること。
【解決手段】 反応ガス生成室１３０は、第一壁部１３２Ａ、第二壁部１３２Ｃと、反応管１１の内面と、および閉鎖部材１９の内面とで区画され、半密閉空間となっている。
第二壁部１３２Ｃは、第一壁部１３２ＡのＡｌＣｌ_３ガス供給口である孔１３２Ａ１よりも下流側に配置され、ＮＨ_３ガス供給口１５１よりも上流側に配置されている。第二壁部１３２Ｃは、ＮＨ_３ガスがＡｌＣｌ_３ガス供給口近傍に流入することを制限する流入規制部の流入規制壁部としての役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】 水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。
【解決手段】 排気口を備えた反応容器、反応容器内に装着された基板ホルダ、反応容器の外部から内部に原料の珪素アルコキシドを含有する気体を供給する気体供給管であって、基板ホルダに支持される基板の表面もしくは基板表面を含む平面上の基板の周囲の領域に間隔を介して先端開口部が向けられて配置されている第一気体供給管、そして反応容器の外部から内部に酸素含有気体を供給する気体供給管であって、基板と第一気体供給管の先端開口部との間隔よりも短い間隔を介して上記基板の表面もしくは基板周囲の領域に先端開口部が向けられて配置されている第二気体供給管を含む水晶薄膜製造装置。 （もっと読む）