説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板を用いてSOI基板を作製するにあたり、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において、両基板の熱膨張係数の差異に起因して基板に破壊が生じたり、貼り合わせた両基板が剥がれてしまうことを抑制する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板とは異なる熱膨張係数を有する基板のうち、熱膨張係数の小さい基板の温度よりも熱膨張係数の大きい基板の温度を高くした状態で、両基板を貼り合わせる。また、両基板の温度を室温より高く、かつ、両基板を貼り合わせた後の加熱処理の温度よりも低くした状態で貼り合わせる。これにより、両基板を貼り合わせた後の加熱処理において両基板の膨張量の差を少なくすることができるため、基板の破壊や剥がれを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であり、高い電気特性を有する半導体装置を歩留まりよく提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、ゲート電極上の導電膜と、酸化物半導体膜及びゲート絶縁膜の側面に接するソース電極及びドレイン電極と、を有し、ソース電極及びドレイン電極の上面の高さは、ゲート電極の上面の高さより低く、導電膜、ソース電極及びドレイン電極は、同一の金属元素を有する半導体装置である。また、ゲート電極の側面を覆う側壁絶縁膜を形成してもよい。 (もっと読む)


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