説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】表面反射率を極力低減させることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】シリコンよりも電気陰性度の大きい金属を含み、かつ複数の開口部を有する薄膜をシリコン基板上に形成する第1の工程と、第1の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるフッ化水素酸水溶液に浸漬させる第2の工程と、第2の工程を施したシリコン基板を酸化剤が含まれるアンモニア水溶液に浸漬させる第3の工程と、を上記順序で行うことにより、シリコン基板表面に微細な凹凸構造を形成し、反射率を低減させる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 (もっと読む)


【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ異なるマスクを用いた個別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層(またはドレイン電極層)と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、酸化物半導体層の下に第1の電極層および第2の電極層を設けてコンタクト抵抗の低減を図る。 (もっと読む)


【課題】反射防止膜を要しない丈夫な反射防止構造体を提供する。
【解決手段】光がその波長よりも微小な構造体の形状をはっきりと認識できない点に着眼し、光の入射面に入射する光の波長と同程度の大きさの柱状の凸部を無数に設け、その凸部の高さを反射防止膜に適用される膜厚である4分の1波長に相当する長さとすることにより入射光に当該凸部とその周囲の空間を擬似的な薄膜と認識させる。これにより薄膜と同等以上の反射防止特性を得ることができ、さらには構造が柱状であることから丈夫で作りやすい反射防止構造体を提供できる。 (もっと読む)


【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第1の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第1の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第1の基板より剥離する。 (もっと読む)


【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】1つのビット線BL_mに複数個のメモリブロックを接続させる。第n行のメモリブロックはサブビット線SBL_n_mと複数のメモリセルを有する。メモリセルはトランジスタと容量素子を直列に接続し、容量素子の電極の一をサブビット線SBL_n_mに接続する。さらに第n行のメモリブロックは書き込みトランジスタWTr_n_mと読み出しトランジスタRTr_n_mを有し、また、読み出しトランジスタRTr_n_mには相補型インバータ等の増幅回路AMP_n_mを接続する。サブビット線SBL_n_mの電位変動を増幅回路AMP_n_mで増幅する。サブビット線SBL_n_mの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路AMP_n_mでエラーなく増幅でき、ビット線BL_mに出力できる。 (もっと読む)


【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用TFTと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用TFTと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 (もっと読む)


【課題】焼き付きの発生による影響を受けない、また、高機能化と高付加価値化、消費電力の抑制、さらに、信号の書き込みを正確に行うことができ、また、デューティ比を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板の一表面に設けられた第1の表示領域と第2の表示領域を有し、第1の表示領域は第1の画素13を複数有し、第2の表示領域は第2の画素14を複数有し、第1の画素13及び第2の画素14の各々は発光素子を有し、第1の画素及び第2の画素の各々の列方向及び行方向の一方のピッチa、cは同じであり、第1の画素及び第2の画素の各々の列方向及び行方向の他方のピッチb、dは異なることを特徴とする。 (もっと読む)


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