【課題】基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板１５を支持する底面サセプタ部１４ａと、サセプタ１４ａ，ｂの上面に沿って流れる材料ガス流を供給するノズル１１と、を含む。サセプタ１４ａ，ｂは、それぞれが基板と同一材料からなる、底面サセプタ部１４ａの上面に基板に嵌合する凹状の基板保持部を画定する外周サセプタ部１４ｂとサセプタ１４ａ，ｂの裏面を画定する底面サセプタ部１４ａとから構成されていること、外周サセプタ部１４ｂは、基板１５の上面と同一平面となる基板保持部を囲む上面を有しかつ、基板保持部を囲む上面が基板の上面の結晶面方位と同一の結晶面方位を有する。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に基板を担持して基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの周囲に位置し、基板に水平に材料ガスを誘導するフロー補助板と、不活性ガスまたは水素を、基板の法線方向から４０°まで傾けた方向の範囲の角度で、基板の面積より広い面積で、基板に吹付ける押さえガス噴出器と、そのノズル幅が基板の直径の１／２〜１／１の幅であり、ノズル先端がフロー補助板上に位置し、基板上に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、を備え、押さえガス噴出器の噴出口から供給するガス流速を材料ガスノズルから供給するガス流速で除した比率が０．００４乃至０．１３の範囲内である。 （もっと読む）

【目的】
シングルドメインの高品質且つ平坦な結晶層を成長できるフローチャネル方式のＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】
基板と平行に基板側から不活性ガスを噴出する第１のチャネル、材料ガスを噴出する第２のチャネル及び不活性ガスを噴出する第３のチャネルがこの順で層状に構成されたノズルを備え、第２のチャネルには、酸素含有化合物を噴出する第１のサブチャネル及び有機金属化合物を噴出する第２のサブチャネルが基板と平行方向に交互に並んで配置され、ノズルから噴出されたガスは、少なくとも基板端まで当該ノズル端から延長された天板および底板で構成されたフローチャネルで誘導される。 （もっと読む）

【課題】 大粒で結晶性の良好な窒化アルミニウム単結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る窒化アルミニウム単結晶の製造方法は、アルミニウムガスまたはアルミニウム酸化物ガスを発生する原料ガス発生用基板と、
炭素成形体と、
窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶との存在下に窒素ガスを流通して、加熱環境下で窒化アルミニウム単結晶を成長させるに際して、
原料ガス発生用基板上に、炭素成形体を窒素ガス流通方向に対してほぼ平行に間隔を空けて配置し、
窒素ガス流通方向に対して上流側に原料ガス発生用基板を配置し、下流側に窒化アルミニウム単結晶析出用の種結晶を配置して、該種結晶に窒化アルミニウム単結晶を成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に成長用基板を担持して成長用基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの少なくても材料ガス供給側の半分を矩形に囲む、サセプタと同じ熱伝導率を有する素材からなる不動の受熱板と、周囲から受熱板を固定し、成長用基板に水平に材料ガスを誘導する不動のフロー補助板と、その開口する先端がフロー補助板上に位置し受熱板の端部と略平行にかつ成長用基板の直径よりも幅広に形成され、成長用基板の全面に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、その材料ガスノズル側の縁部が受熱板の端部に略平行に形成され、その全面が直上のサセプタと受熱板の全面に対向してサセプタと受熱板を均一に加熱する矩形の加熱器と、成長用基板とサセプタと受熱板の全面に向けて材料ガスノズルよりも幅広の領域に押さえガスを供給する押さえガス噴出器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】成膜するために導入するガスが分解されないまま排気されることを抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】基板１１の一方の主表面上にたとえばＳｉＣやＳｉのエピタキシャル層を形成するために用いる成膜装置１００の本体部３０は、ガス供給部９から供給される、成膜の原料となるガスを用いて成膜を行なう成膜領域２１と、成膜に用いられなかった未反応の残留ガスを分解する分解領域２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】サセプタの形状を改良することにより、エピタキシャル層の膜厚のウェーハ面内均一性を向上するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】多角錘台状のサセプタの側面に半導体ウェーハを載置し、サセプタと、このサセプタを同軸に覆う円筒状容器との間に反応ガスを導入して半導体ウェーハ上に単結晶膜を形成するバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタであって、サセプタの側面に半導体ウェーハを載置するための複数の円形凹状の座ぐりが配列され、複数の座ぐりの配列方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈａ（ｍｍ）が、座ぐりの配列方向に直交する方向側の、座ぐりの内側壁部の高さｈｂ（ｍｍ）よりも低いことを特徴とするバレル型エピタキシャル成長装置用サセプタおよびこれを備えるバレル型エピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体結晶層を成長する場合にも、半導体結晶層の層厚を均一化できる気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板(1)を保持した自転サセプタ(2)を公転サセプタ(3)に設置して前記基板(1)を自公転させ、加熱された前記基板(1)上に原料ガス(G)を供給して基板(1)上に半導体
結晶を成長させる気相成長方法において、前記基板(1)上に一つの半導体結晶層を成長さ
せるのに要する基板(1)の自転回数が１６回未満の場合に、前記一つの半導体結晶層を成
長させる時間を前記基板(1)の自転周期の整数倍とした。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャルシリコンウエーハを製造する際に多数の貫通孔を有するサセプタを用いた場合に、第二主表面に生じるナノトポロジーの凹凸が発生することを低減することができるエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 自然酸化膜除去工程とエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法において、多数の貫通孔が形成されているサセプタを用い、前記エピタキシャル成長工程において流す水素ガスの流量と原料ガスの流量との比を、水素流量（ｓｌｍ）／原料ガス流量（ｓｌｍ）≧４としてエピタキシャルシリコン層の成長を行うエピタキシャルシリコンウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【目的】ＳｉＣ基板を大面積化しても、ＳｉＣ基板上に形成されるエピタキシャルＳｉＣ膜のドーピング濃度分布を均一化することができるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置を提供すること。
【構成】両端に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管内に断熱材を介して第一ホットウォール２と第二ホットウォール７が中心軸方向に並べて配置され、第一ホットウォール２に設けられる反応室空間内にＳｉＣ結晶基板４を取り付ける支持部材が配置され、該第一ホットウォール２に対向する位置の前記耐熱円筒管の外周に前記第一ホットウォール２を誘導加熱する装置が設けられ、前記第二ホットウォール７は、内部に前記耐熱円筒管の軸に平行な方向に設けられるガス流路であって、一端が反応ガス流入口に接続されて流入する反応ガスを整流し、他端は前記第一ホットウォール２内の前記反応室空間に通じるガス流路を備えるエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】 混合される複数の原料ガスを、その流速分布を乱すことなく反応管に導入するとともに反応管内での原料ガスの分解を防止し、かつ用いる原料ガスの切換応答性を高めることによって、同一層内において均一な厚みおよび組成を有し、積層界面において組成の急峻性を有する層を形成できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 第１の原料ガスを反応管４２に導入する第１ガス導入管４６と、第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスまたは第１の原料ガスと反応する第３の原料ガスを反応管４２に導入する第２ガス導入管４７とを積層して設け、第２ガス導入管４７に第２の原料ガスを供給する第２ガス供給部５０および第２ガス導入管４７に第３の原料ガスを供給する第３ガス供給部５１を含むガス供給部と、第２ガス導入管４７に供給する原料ガスを第２の原料ガスと第３の原料ガスとの間で選択するガス選択手段５４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高温でエピタキシャル成長を行うことが可能なＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 両端に開口部を有する反応管１６内で原料ガスを反応させ基板３０上に炭化ケイ素薄膜を堆積させるＣＶＤ装置１０であって、反応管１６の一端の開口部から前記原料ガスを供給するミキシングチャンバ１４と、反応管１６の内部に設置され且つ基板３０を加熱するサセプタ２８と、反応管１６内で基板３０上を通過した前記原料ガスを反応管１６の他端の開口部から排出する排出管１８と、透過した光量を低減する不透明減光部材からなり、前記反応管内で生じた輻射光の光量を低減する拡散用減光シャワー板２４及び減光板５０と、を備えたＣＶＤ装置１０である。
である。 （もっと読む）