【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ単結晶体を成長させる際および成長させたＧａＮ単結晶体を基板状などに加工する際、ならびに基板状のＧａＮ単結晶体上に少なくとも１層の半導体層を形成して半導体デバイスを製造する際に、クラックの発生が抑制されるＧａＮ単結晶体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶体１０は、ウルツ型結晶構造を有し、３０℃において、弾性定数Ｃ₁₁が３４８ＧＰａ以上３６５ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が９０ＧＰａ以上９８ＧＰａ以下、または、弾性定数Ｃ₁₁が３５２ＧＰａ以上３６２ＧＰａ以下かつ弾性定数Ｃ₁₃が８６ＧＰａ以上９３ＧＰａ以下であって、主面の面積が３ｃｍ²以上である。 （もっと読む）

【課題】品質の良いアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物の結晶を得るため反応温度を得るとともに、反応器内のガス対流をできるだけ抑止することができる結晶成長装置を提供すること。
【解決手段】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物を基板上に気相成長させる結晶成長装置１は、縦管８と横管７とから構成されるＴ字状の反応器を備えている。結晶成長装置１は、縦管８と横管７に臨んだ領域には、基板を保持するタングステン製の加熱支持台２２と、加熱支持台２２を誘導加熱する高周波コイル２４と、横管７に導入されＩＩＩ族ハロゲン化物を基板上に供給するハロゲン化物ガス管１５と、横管７に導入され窒素源ガスを基板上に供給する窒素源ガス管１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、その中心に基板を担持して基板を加熱および回転するサセプタと、サセプタの周囲に位置し、基板に水平に材料ガスを誘導するフロー補助板と、不活性ガスまたは水素を、基板の法線方向から４０°まで傾けた方向の範囲の角度で、基板の面積より広い面積で、基板に吹付ける押さえガス噴出器と、そのノズル幅が基板の直径の１／２〜１／１の幅であり、ノズル先端がフロー補助板上に位置し、基板上に沿って材料ガスの層流を水平に供給する材料ガスノズルと、を備え、押さえガス噴出器の噴出口から供給するガス流速を材料ガスノズルから供給するガス流速で除した比率が０．００４乃至０．１３の範囲内である。 （もっと読む）

本発明は、化学気相成長法を用いて基板（１４）をコーティングするデバイス、特にダイヤモンド又はシリコンで基板をコーティングするデバイスであって、複数の細長い熱伝導体（２）から構成される熱伝導体アレイが、ハウジング（１０）内に提供され、前記熱伝導体が、第１の電極（１）と第２の電極（８）との間に延在し、熱伝導体（２）が、その一端に取り付けられた緊張装置によって個別にぴんと張った状態に保持されるデバイスに関する。熱伝導体（２）の寿命を延ばすために、本発明は、緊張装置が緊張ウェイト（Ｇ）を有する傾斜アーム（５）を備え、熱伝導体（２）が前記傾斜アームの第１の端部（Ｅ１）に取り付けられ、その第２の端部がほぼ水平軸（Ｈ）周りに枢動可能に装着されることを提案する。
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【課題】エピタキシャル装置内のＳｉＣ粉塵がＳｉＣ基板上に落下するのを回避し、メモリ効果を抑制して多数回繰り返しエピタキシャル成長できるエピタキシャル成膜装置を提供する。
【解決手段】軸方向端部に反応ガス流入口と排出口とを有し減圧可能な耐熱円筒管１内に、軸方向に沿って所定の長さのサセプタ３が、断熱材２を介して配置され、該サセプタ３の内側に設けられる反応室４空間内にＳｉＣ結晶基板５を載置するための複数の平板状支持基板５が相互に平行に上下方向に間隔を置いて搬出搬入可能な形態で設置され、前記サセプタ３の位置に対向する前記円筒管１の外側に誘導加熱装置を備え、前記複数の平板状支持基板５のうち、より上側の支持基板１１が前記サセプタ３または断熱材２の端面からガス流の上流側へ、より多くはみ出すように設置されているエピタキシャルＳｉＣ成膜装置とする。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体結晶層を成長する場合にも、半導体結晶層の層厚を均一化できる気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板(1)を保持した自転サセプタ(2)を公転サセプタ(3)に設置して前記基板(1)を自公転させ、加熱された前記基板(1)上に原料ガス(G)を供給して基板(1)上に半導体
結晶を成長させる気相成長方法において、前記基板(1)上に一つの半導体結晶層を成長さ
せるのに要する基板(1)の自転回数が１６回未満の場合に、前記一つの半導体結晶層を成
長させる時間を前記基板(1)の自転周期の整数倍とした。 （もっと読む）

【課題】従来のＨＶＰＥ装置の欠点を解決したIII族窒化物半導体の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】成長炉３内に原料となるIII族ガスｇ３とＶ族ガスｇ５を供給し、これらガスｇ３，ｇ５で基板２上にIII族窒化物半導体結晶Ｃを成長させるIII族窒化物半導体の製造装置１において、成長炉３は、隔壁４で相互に分離されたIII族ガスｇ３が供給されるＡ室５ａと、Ｖ族ガスｇ５が供給されるＢ室５ｂとの少なくとも２室を備え、Ａ室５ａおよびＢ室５ｂの両ガス出口７，９を隣接させ、これら両ガス出口７，９近傍に基板２を配置したものである。 （もっと読む）

【課題】反応管内のガス供給口近傍におけるIII族窒化物の析出が抑制されてなるIII族窒化物の作製装置を提供する。
【解決手段】作製装置１０の供給系１４は、三層構造の供給管を形成するように構成されてなる。供給管１４ａからは、金属Ａｌと第１ガスｇ１中のＨＣｌガスとの反応で生成するＡｌＣｌ_xガスを供給する。供給管１４ｂからはＮＨ₃ガス含む第２ガスｇ２を供給する。供給管１４ｃからは、第３ガスｇ３としてＡｌＣｌ_xとＮＨ₃との反応によるＡｌＮの生成を抑制するガス（例えばＮ₂ガス）を供給する。供給管１４ａの端部１４ｅ近傍の領域において、サセプタ１２側へと供給されるＡｌＣｌ_xガスを取り囲むように第３ガスｇ３の流れが形成されるので、当該領域においてＡｌＣｌ_xガスとＮＨ₃ガスとが反応することが抑制され、結果として、端部１４ｅへのＡｌＮの析出が効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるエピタキシャル膜にパーティクルが付着することを防止する。
【解決手段】成長容器１内に配置された複数の基板７の表面に結晶を成長させるＣＶＤ装置において、原料ガスが通過する第１ガス経路９ｅと、キャリアガスが通過する第２ガス経路９ｆとを有するガス導入管９を設け、第１ガス経路９ｅには、複数の基板７のそれぞれに向かって開口している第１開口部９ａを設け、第２ガス経路９ｆには、複数の基板７における隣り合う基板７の間に向かって開口している第２開口部９ｂを設ける。第２開口部９ｂは、隣り合う基板７の間における中心位置に向かって開口させる。 （もっと読む）

【課題】気相エピタキシャル成長させた後も、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。
【解決手段】管軸を略水平に設けた反応管内に、又は管軸を略水平に設けた反応管の上部壁の一部にサセプタ５を設け、サセプタ５にオリエンテーションフラット付きの基板３を嵌める開口部６を設け、開口部６の下部周辺部に基板３を支持しつつ、反応管内に管軸に平行に流すガスの層流を維持する基板支持部７を形成し、基板支持部７に結晶成長面を下向きにして開口部６に嵌められる基板３を支持し、ガスを流して基板３の結晶成長面に気相エピタキシャル成長させる化合物半導体製造装置において、サセプタ５の開口部６に設けられ基板３のオリエンテーションフラット１を当接させる当接用部材４と、当接用部材４に設けられガス流に対して抵抗を与える突起部４ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】優れた界面特性と均一性が具現できる超格子半導体構造の製造方法を提供する。
【解決手段】この超格子半導体構造は、工程チャンバ１７０内のサセプター１３０上に基板１０１を搭載する段階Ｓ１と；上記工程チャンバ内の上記サセプター上に互いに異なる領域に第１ソースと第２ソースガスＡ、Ｂを同時に供給し、互いに分離された第１ソースガス領域１３４と第２ソースガス領域１３６を形成する段階Ｓ３と；上記サセプターの回転によって上記基板が公転する間に、上記基板が上記第１ソースガス領域と上記第２ソースガス領域を通過する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】炉内に原料ガスを流して、より短時間にて炉内を高純度化し得る気相成長装置を提供すること。
【解決手段】加熱した基板３上に、III族およびＶ族の原料ガスを、ドーピング原料及びキャリアガスと共に供給し、基板３の成長面に沿って層状に原料ガス６を流し、基板３上に化合物半導体結晶を成長する気相成長装置において、前記原料ガス６を流すガス流路４の他に、該ガス流路４内に乱流ガス１６を導入して成長炉内のガス流を意図的に乱流にするガス導入機構１５（１５ａ、１５ｂ）を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物のガス体を用いたＨＶＰＥ法によるアルミニウム系III族窒化物を製造することを課題とし、長時間に渡って成長速度を維持したまま成長を続けて、効率良くアルミニウム系III族窒化物を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 三塩化アルミニウムなどのハロゲン化アルミニウムを含むIII族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応域に保持された基板上で反応させることにより、基板上に気相成長させてアルミニウム系III族窒化物を製造する方法において、該III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとの間にアルゴンなどのバリアガスを介在させて両反応ガスを反応域に流出せしめ、次いで基板上で両反応ガスを接触させて反応させる。 （もっと読む）

【課題】横型ｆａｃｅ−ｄｏｗｎ方式のＭＯＣＶＤ装置において、排気側からリアクタチャンバー内に反応ガスが逆流するのを防止し、安定な成長が可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置では、リアクタチャンバー４内にはサセプタ３が設置され、サセプタ３にウエハ１が成長面となる表面を下にしてセットされている。成長時には、反応ガスがリアクタチャンバー４の一方から導入され、ウエハ１の表面と平行な方向に流れた後、排気ポート６から外部に排出される。この間、センターパージユニット５からパージガスが導入され、ウエハ１の裏面に沿って流れ、排気ポート６から外部に排出される。チャンバー４内での反応ガス及びパージガスの経路は、それぞれ排気ポート６入口まで分流板７により分離されている。 （もっと読む）

【課題】基板の両面に、化学的気相成長により異なる組成のエピタキシャル層を得ることが出来る気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェハを提供すること。
【解決手段】反応管６と、該反応管を上部室６１と下部室６２とに分離する分離板４と、上部室６１に第１の成長ガスを導入する第１のガス導入口１０と、下部室６２に第２の成長ガスを導入する第２のガス導入口１４と、分離板４の開口４ａ内に分離板４とほぼ同一平面を形成するように配置され基板設置用の開口部２ａを備えた板状のサセプタ２と、基板３を加熱するヒータ１とを具備し、サセプタ２が備える開口部２ａを閉鎖するように基板３を設置することにより、開口部２ａから下部室６２側に露出した基板の裏面に第２の成長ガスによる第２のエピタキシャル層を形成するとともに、基板３の表面に第１の成長ガスによる第１のエピタキシャル層を形成する。 （もっと読む）